2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者新华社赫尔辛基9月4日电(记者陈静)芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元(1欧元约合1.1美元)。巴利加于1948年出生在印度,目前在美国北卡罗来...
“聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。????此外,决策系统硬件...
唯样代理|适用于48V电池断开开关的80V双门极MOSFET及其应用仿真
强化结构:双极性晶体管与稳压管组合强化版的短路钳位电路结构稍微复杂一点,需要更多的元件。然而,它可以带来更好的VDS限制精度。这个结构的一个好处是稳压管直接接到源极,而不是LINFET的门极。这可以在钳位时,通过使用双极型晶体管上拉门极电压实现。钳位的VDS电压值可以按照如下计算:VDS,clamp=VR2+VR3+VDC...
双极型晶体管BJT应用需求增长 高性能产品市场占比不断提升
双极型晶体管具有耐久力好、功率控制能力强、工作效率高、灵敏度高等优势,在通信系统、汽车电子、家用电器、医疗器械、航空航天等领域拥有广阔应用前景。按照结构特点不同,双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两种类型。双极型晶体管主要原材料包括硅和锗等。锗属于稀有半导体金属,具有力学性能好、色散率低、红外折射率高...
...显示面板专利,晶体管具有双极性特征,可以提升晶体管的开关比
本公开两个不同迁移率的半导体结构使得所形成的晶体管具有双极性特征,从而可以利用晶体管的双极性特性提升晶体管的开关比。
下一代功率晶体管
长期以来,氮化铝一直吸引着半导体研究人员(www.e993.com)2024年9月11日。功率半导体最重要的特征之一就是其带隙。用宽带隙半导体制成的晶体管能够在材料失效和晶体管损坏之前承受非常强的电场。氮化铝的带隙高达6.20电子伏,优于镓氮化物的3.40电子伏和碳化硅的3.26电子伏。不过,氮化铝一直存在一个问题,那就是掺杂,即其中附着了杂质元素,会使半导...
基础知识之晶体管
主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管,一般功率晶体管的功率超过1W。小信号晶体管最大集电极电流(IC(max))在500mA以下,最大集电极功率(PC(max))不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。
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同时这一技术提升也促进了国际同类产品的追赶和改进;在高频源方面,玖谊源采用了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,相比国际上仍在使用上世纪50年代电子管技术的同类产品,玖谊源的高频源技术在设备的稳定性和可靠性上具有明显优势。同时,玖谊源亦提供标准化加定制化的屏蔽体设计,能够根据用户需求进行辐射防护计算和现场装配...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
电路图与大功率TTL非常相似,这里缺少大功率TTL的Q晶体管。用于这种TTL的肖特基晶体管是一个基极和集电极由肖特基二极管连接的双极型晶体管。肖特基TTL电路五、TTL电路正确接线图这里从TTL电路输入和输出来看:1、输入标准2输入TTL电路标准3输入TTL电路...
整理分类:晶体管的类型分析
主要分为双极型光电晶体管、场效应光电晶体管及相关器件。双极型光电晶体管通常增益较高,但速度不太快。场效应光电晶体管响应速度快。其缺点是感光面积小,增益小。它通常用作极高速光学探测器。还有许多其他与此相关的平面光电器件。特点是速度快,适合集成。此类器件有望在光电集成领域得到广泛应用。