12家韩企被罚百亿韩元!浙大3教师入选ISSCC技术委员会;英伟达AI...

并在相关领域取得了重要的原创性成果,是目前国际主流低抖动锁相环结构亚采样锁相环(Sub-SamplingPLL)的发明人,曾获得IEEERFIC最佳论文奖,在IEEE国际会议和期刊发表30多篇论文,被授予20多项国际专利,2016年当选为IEEE高级会员,2015-2019,以及2024年两次当选为IC芯片设计领域顶级会议IEEEISSCC的技术委员会,同时也是...

探索光耦:达林顿光耦与晶体管光耦的区别

其基本结构相对简单,主要利用光电效应和晶体管的放大特性来实现电信号的隔离与传输。▲晶体管光耦系列达林顿光耦则是在普通光耦的基础上增加了一个达林顿放大器,通常是一个PNP型晶体管或NPN型晶体管与光敏三极管组合而成。这种结构使得达林顿光耦在信号放大和控制方面具有更强的能力。▲达林顿光耦系列工作原理的异同...

拆解:坐便盖如何实现27种智能化功能?

在电驱电路上,使用ULN2003A型号的达林顿驱动器,具有单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列特性,电路内部包含七个独立的达林顿管驱动单路,将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力进行驱动。在电控电路上,该主控电路板使用的笙泉科技MA82G5B32AD32型号的MCU,在相同核心比较下主频更高,程序处理速度更快。此外MA82G5B32...

常见电子元器件等效电路的汇总整理

由LC串联谐振电路特性可知,谐振时该电路的阻抗最小,且为纯阻性。不同场合下使用的双端陶瓷滤波器的谐振频率不同。三端陶瓷滤波器相当于一个双调谐中频变压器,故比双端陶瓷滤波器的滤波性能要更好些。普通复合管(达林顿管)内电路复合管电路共有4种。复合管用两只三极管按一定方式连接起来,等效成1只三极管,下...

基础知识之晶体管

3、逆向晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低(7to8V与VEBO一样低)↑通用TR的情况,除此之外,还有5V以下(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功

【光电通信】光纤跳纤,这一篇文章可以看一看!

常规光纤跳线的特点是比较轻便、成本较低,可以满足绝大多数室内传输设备的使用及数据中心高密度布线需求,因此常规光纤跳线在日常生活中应用也较为普遍(www.e993.com)2024年11月21日。加固型光纤跳线一般应用在地下通道、基站建设等恶劣室外环境中,因此通常需要具备防虫鼠啃咬、防水及耐高温等能力,以免遭到损坏,影响正常通讯。为了应对恶劣环境,人们根据...

达林顿管的应用及达林顿模块电路典型结构

在较早期的功率电子设备中,比较多地使用了这种器件。图1-2是这种器件的内部典型结构。图1-2:达林顿模块电路典型结构两个二极管左侧是加速二极管,右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电流串联正反馈,达到加速的目的。这种器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右(参考)。

光电晶体管的结构和特性

光电达林顿器件由普通光电晶体管组成,其发射极输出耦合到较大双极NPN晶体管的基极。由于达林顿晶体管配置提供的电流增益等于两个单独晶体管??的电流增益的乘积,因此光电达林顿器件产生非常灵敏的检测器。光电晶体管光传感器的典型应用是光隔离器、槽型光开关、光束传感器、光纤和电视遥控器等。检测可见光时有时需要红...

干货|深度剖析IGBT的结构与工作原理

IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on)可用下式表示:Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh...

IGBT的基础知识--IGBT的基本结构,参数选择,使

采取这样的结构可在N一层作电导率调制,提高电流密度。这是因为从P+基板经过N+层向高电阻的N一层注入少量载流子的结果。IGBT的设计是通过PNP-NPN晶体管的连接形成晶闸管。2.IGBT模块的术语及其特性术语说明集电极、发射极间处于交流短路状态,在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时,...