...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储的应用场景中(如智能卡、计量设备以及汽车中的事件数据记录仪),FeRAM有着不可替代的绝对优势。同时,FeRAM也可以替换EEPROM、SARM以及MRAM。相比之下,ReRAM则利用材料电阻状态的变化来保存信息,通过电流调整特定材料(例如氧化铪)的电阻...

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

●低功耗:FeRAM的能耗远低于传统存储器,在需要节能的场合尤其适合。相比EEPROM和NORFlash等存储器,FeRAM的功耗优势在助听器等低功耗设备中得到了良好体现。●覆盖写入:传统的存储器在写入数据之前通常需要进行擦除操作,而FeRAM则可直接覆盖写入数据,减少了数据处理步骤,并进一步提升了效率。FeRAM在多种领域的应用...

国内首条!昕原半导体28/22nm ReRAM 12寸中试线通线试产

公司开发的ReRAM存储器具有密度高、能耗低、读写速度快及下电数据保存的特点,可形成未来存储架构的最后一级缓存(FLC,FinalLevelCache),消除内存与外存间的“存储墙”。作为最具潜力的下一代主力存储器,ReRAM能广泛应用于人工智能、工业控制、消费电子、汽车、物联网、云计算等领域。图源:昕原半导体据杭州日报...

RAMXEED冯逸新:FeRAM,为高可靠性和无迟延应用提供坚实保障

冯逸新先生称，FeRAM结合了非易失性存储器和易失性存储器的优点，和SRAM、DRAM一样支持随机覆盖写入，无需擦除操作，写入速度快；同时又具备非易失性存储器的特点，能够在断电后保存数据。此外，FeRAM的读写速度更是达到了纳秒级，远超NORFlash和EEPROM。冯逸新先生补充，FeRAM的读写耐久性极高，可达10??...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用(www.e993.com)2024年11月17日。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,也是唐克超老师团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET...

如何正确查看和分析计算机内存使用情况

内存可以分为多种类型,每种类型都有其特定的用途和性能特点。随机存取存储器(RAM)(RandomAccessMemory-RAM)RAM是最常见的内存类型,主要用于临时存储正在运行的程序和数据。RAM又可以分为两种主要类型:动态随机存取存储器(DRAM):DRAM是最常见的RAM类型,广泛用于个人计算机和服务器。它需要定期刷新以保持数据...

中国PSRAM(伪静态随机 存储器)行业趋势预测及投资方向研究报告

1、随机存储器(RAM)(1)静态RAM(StaticRAM——SRAM)(2)动态RAM(DynamicRAM——DRAM)2、只读存储器(ROM)3、串行存储器1.1.2PSRAM的概念&定义1、PSRAM就是伪SRAM2、PSRAM&SDRAM&SRAM1.1.3PSRAM的性质&特征1.1.4PSRAM专业术语说明...

全球半导体存储器行业市场概况

（1）易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以保存数据供主系统CPU读写和处理。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。静态随机存取存储器不需要周期刷新，而动态随机存取存储器（DRAM）需要周期性刷新来维持...

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1、只读存储器ROM:用户只能读取信息,不能更改2、随机存储器RAM:可不断进行各种读写操作3、高速缓冲存储器Cache②外存储器:也称辅助存储器、外存,是内存的延伸和拓展。它存储容量大,通常容量为几十GB,可用来存储CPU暂时不会用到的信息和数据。