...推挽式MOS管可靠性试验方法及其试验电路专利,解决现有MOSFET...

所述试验方法包括:(1)按多路推挽式MOS管单元并联进行设计,以实现批量推挽式MOS管可靠性试验;(2)采用提高MOS管漏源VDS压降的方法,让MOS管工作在不完全导通状态下进行老炼;(3)输入方波信号按设定的功率放大,以驱动每个单元推挽式MOS管;(4)方波信号经恒流通道恒流。试验电路包括信号模块、驱动模块、器件模块、模拟负载...

反激电源电路分析

MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如上图所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时...

Littelfuse推出高频应用的IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极...

IX434x驱动器的一个显著特点是与TTL和CMOS逻辑输入兼容,能够与大多数控制器直接连接。此外,每个输出具有独立的使能功能和欠压闭锁电路(UVLO),以确保可靠、安全的操作。在最终供电电压不足的情况下,栅极驱动器输出被置位为低电平,从而关闭外部功率器件。IX4341和IX4342双5A低压侧栅极驱动器适用于各种市场,包括:·...

...申请一种驱动电路及功率桥逆变电路专利,有效抑制功率 MOSFET...

专利摘要显示,本发明提供了一种本发明提供了一种驱动电路及功率桥逆变电路,通过开通延时模块和关断钳位模块,使得在进行功率MOSFET开关切换时,保证了在需关断的功率MOSFET彻底关断并钳位之后,需开通的功率MOSFET才能开始开通,从而保证了一个功率MOSFET的开通不会对另一个功率MOSFET造成串扰影响,因此能有效抑...

...驱动电路专利,能够避免级联中低压 Si MOSFET 器件存在带来的问题

专利摘要显示,本发明提供了一种常开耗尽型开关器件的驱动电路,涉及开关器件的驱动电路领域,包括:耗尽型GaN器件的栅极分别与开通电阻的一端以及关断电阻的一端相连接;耗尽型GaN器件的源极与驱动供电电压VCC相连接;开通电阻的另一端与NPN型三极管的发射极相连接;NPN型三极管的集电极与驱动供电电压VCC相...

上海贝岭功率器件助力电摩控制器高效发展

对于相同的驱动电路,较低的栅极电荷使得开关速度加快,以降低开关损耗(www.e993.com)2024年11月15日。性能品质因数FigureofMerit(FOM=Rds(on)×Qg,Rds(on)导通电阻,Qg栅极总电荷),简称FOM值,是MOSFET的一个重要指标,用于评估性能的优劣。在使用相同封装的情况下,贝岭器件相较于市场主流同规格产品,具有相对较低的FOM值。6.5%的降幅可以...

OLEDoS和LEDoS的像素驱动电路

在微显示领域,OLEDoS和LEDoS的像素驱动电路都是从电压驱动开始的。虽然经验仍需积累,但主流的单芯片模式仍需在背板集成许多驱动芯片的晶体管电路,导致面板空间有限。因此,OLEDoS对电流驱动产品的需求开始显现,尤其是受AppleVisionPro带来的VR、MR风潮影响。而目前由于LEDoS具有寿命长等优良特性,且不少产品尚处于早期...

Littelfuse推出SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

简化了SiCMOSFET所需的栅极驱动电路。”Littelfuse集成电路部（SBU）产品经理JuneZhang表示，“其各种内置保护功能和集成电荷泵提供了可调的负栅极驱动电压，能提高dV/dt抗扰度和关断速度。因此，该产品可以用来驱动任何SiCMOSFET或功率IGBT，无论是Littelfuse器件还是市场上任何其他类似器件。”

IGBT驱动电路介绍

,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。

第三代电力电子半导体SiC MOSFET:聚焦高效驱动方案

相比传统的硅MOSFET，SiCMOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiCMOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiCMOSFET驱动方案备受关注。然而，SiCMOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiCMOSFET的...