【融资】国产嵌入式存储器厂商合肥康芯威完成近2亿元融资

在UFS产品线上,康芯威“5G时代智能自主UFS3.1存储器系统项目”具有国产产品中最早获取国密算法、单芯片可同时支持eMMC/UFS、完全支持5G频宽,定制化的硬件指令、低功耗设计等特点,解决了UFS3.1这一5G领域国家卡脖子技术难题。与此同时,康芯威的UFS主控芯片拟采用当前最先进的UFS3.1接口,传输速率最高可达2900MB/s,与...

硬盘有哪些

它采用闪存颗粒来存储数据,没有机械部件,因此读写速度更快、噪音更小、能耗更低。此外,固态硬盘还具有抗震抗摔的优点,能够更好地保护数据安全。然而,固态硬盘的价格相对较高,且容量相对有限,适合用于操作系统和程序运行等需要高速读写性能的场景。**三、混合硬盘(HHD)**混合硬盘是机械硬盘和固态硬盘的结合体。...

三星、步步高平板电脑内置哪些FLASH,这篇文章给你答案

而磁介质存储器是以磁性材料为主做成的存储器,如硬盘、磁带等,其特点是容量大,每GB成本更低,缺点是随机读写性能较差。现如今,平板电脑中常用的存储器芯片主要为NANDFLASH和MCP两种类型。NANDFLASH自不必多说,是目前应用最广泛的大容量存储芯片类型之一,涉及高速、高容量存储的场景都会有其身影。而另外一种MCP存...

中国存储芯片行业发展深度与投资趋势调研报告(2024-2031年)

如下图所示,常见的易失性存储芯片有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片包括Flash(闪存)、ROM(只读存储器)等。易失性存储芯片可分为静态随机存储器(简称SRAM)和动态随机存储器(简称DRAM)两类,SRAM不需要周期性地刷新,速度比较快,但成本也较高,是利基存储;DRAM需要周期性地刷新,速度较慢,但成本较低,是大宗...

长电科技:晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

闪存包括多个存储器单元,多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖(www.e993.com)2024年11月25日。保护盖保护栅极介电层,并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例,还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。

国产闪存芯片自给率有待进一步提升

(1)上游存储晶圆呈现寡头垄断市场特征由于NANDFlash存储晶圆生产制造具有投资规模大、技术水平要求高、投资回报周期长等特点,通常一条NANDFlash产线的投资规模超过百亿美元,经过近几十年的发展、竞争及淘汰,全球NANDFlash市场中只有三星电子(SAMSUNG)、海力士(SKHynix)/英特尔(Intel)、美光(Micron)、西部数据...

下半年,存储器价格将面临压力

业内人士表示,存储产品价格的持续上涨主要受两重因素推动,一是数据中心对服务器DRAM的高需求,以及AI手机、AIPC等创新AI终端设备内存配置提升的需求;二是HBM(高带宽存储器)供不应求,推动DRAM买方转为积极采购。对于下半年的发展预测,慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭表示,,闪存的涨势在今年下半年会稍微平缓,然后...

荣耀终端申请碎片整理方法、电子设备及芯片专利,提高存储数据的...

该方法包括:闪存存储器件接收来自主机系统的碎片整理指令,碎片整理指令用于指示闪存存储器件对多个目标热点逻辑块地址LBA信息对应的存储数据进行碎片整理。响应于碎片整理指令,闪存存储器件对存储空间中多个目标热点LBA信息对应的存储数据进行碎片整理,使得整理后的存储空间中多个目标热点LBA信息对应的存储数据的物理地址的...

江波龙:首创TCM(技术合约制造)合作模式 突破存储器厂商营收...

3月20日,在深圳举行的2024中国闪存市场峰会上,深圳市江波龙电子股份有限公司(以下简称江波龙)董事长、总经理蔡华波在演讲中表示,面临着传统存储器厂商的经营“天花板”,江波龙以“新”破局,以TCM(技术合约制造)合作模式建立起原厂与客户的信任关系,实现企业与行业的共同成长与突破。