有机智能传感材料与器件研究进展
有机光电子材料具有柔性、低成本、可大面积加工以及分子结构可调等特点,在可穿戴智能器件领域具有巨大的应用潜力.有机分子可以通过结构的设计调节其光学、电学、机械和化学等特性,从而实现丰富的传感功能.有机智能传感器具有快速响应、高选择性、高灵敏和机械柔性等优势,被广泛应用于环境监测、电子皮肤、医疗监测...
新质对话|黄凯:有没有包打天下的技术路线?半导体显示如何向价值链...
外延芯片的衬底是单晶材料,外延材料一层层生长,形成不同的功能层,每个功能层的主分和掺杂都不同,需要在高温下通过精确控制气体流入,使材料在晶体表面分解、重新化合,逐渐生长,控制精度在纳米级别。总体来说,显示技术的发展趋势是像素密度不断提升,芯片尺寸不断缩小。LCD或OLED与Mini-LED、Micro-LED技术在一定程度上...
报到通知:附日程!2024全国晶体生长与材料科学研讨会,7月28日
线下报告、线上同步(线上有偿服务)二报到通知尊敬的各位专家、学者和同仁:由我单位主办的“2024全国晶体生长与材料科学研讨会”定于2024年7月28日-31日在新疆*乌鲁木齐鼎福酒店如期召开。现将会议第二轮会议通知(报到通知)发给您,请接到本通知之后尽快预定车机票以便准时参会。一、报到时间:2024年7月28日(...
8英寸碳化硅时代呼啸而来!
此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延设备,具备更快、更好、更稳定的特点,通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术,设备自动化性能更加成熟,提升产品生产效率。设备还成功引入新的掺杂技术,进一步提升产品良率,持续降低生产成本。三义激光:首批碳化硅激光设备正式交付9月5日,三义激光在官微透露,他们自主研发、生产的首批...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度,减缓了电场强度并改善了漏电,有源,电场,离子,漏电,晶体管,长鑫存储,半导体储存器
市政府关于表彰常州市第十三次自然科学优秀科技论文的决定
1、镨掺杂的Bi7Ti4NbO21陶瓷的发光、铁电和介电多功能性研究邹华、惠新伟、王旭升(江苏理工学院)2、AnalysisofTorsionStiffnessofFlexiblePivotBearingwithRadialArrayRectangularSection刘春节、干为民(常州工学院)3、激光冲击处理诱导AZ31B镁合金表层纳米化...
发光学报|稀土掺杂无序结构晶体的局域位置对称性与发光调控
稀土掺杂无序结构晶体因其组分结构易调控和发光性能优异等特点,受到国内外研究人员的广泛关注,在激光、光通讯、平板显示、荧光生物标记和纳米光电子器件等领域具有较好的应用前景。如何可控地调节稀土离子在无序结构晶体的局域位置对称性,进而有针对性地调控其发光性能,是这类材料发展和应用的关键问题。
下一代功率晶体管
但是事实证明,这种杂质掺杂并不是掺杂半导体的唯一方法。有些基于元素周期表中第III族和第V族元素(如氮化镓)化合物的半导体有着非同寻常的显著特性。在两个这种半导体接触的边界处,它们会自发地产生一个由极易移动的电荷载流子组成的二维池。这个二维池被称为二维电子气,是从晶体中的内部电场产生的,并没有化学掺杂。
NPN型晶体管-IC电子元器件
NPN型晶体管特点1、高增益:NPN型晶体管具有高电流放大倍数,可以将微弱的输入信号放大到较大的输出信号。2、稳定性好:NPN型晶体管的参数稳定性较好,可以在广泛的温度范围内正常工作。3、可靠性高:NPN型晶体管具有较高的可靠性和寿命,适用于长时间稳定工作的应用。
三星申请场效应晶体管结构专利,实现顺序连接的无源器件
专利摘要显示,提供了一种场效应晶体管结构,包括:衬底,其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺杂区的一侧的第二掺杂区以及在第一掺杂区的另一侧的第三掺杂区;第一沟道结构,其中包括在衬底中的第二掺杂区上的第四掺杂区;以及第二沟道结构,在第一沟道结构的一侧,其中包括在衬底中的第三掺杂区上的第五掺杂区,其中...