...微电取得电容可调的SGTIGBT结构专利,实现了绝缘栅双极型晶体管...
其特点是,元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区,深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连,浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、反馈电容的调节,也实现沟道密度的调节。
支持锂电新能源产业!郑州航空港区拟出台10项政策 单项资助最高...
元器件(绝缘栅双极型晶体管IGBT、金氧半场效晶体管MOSFET、数字信号处理DSP等芯片)、工艺装备、电芯模组、储能变流器(PCS)、电池管理系统(BMS)、能量管理系统(EMS)、储能系统集成(ESS)、关联系统集成(含安全预警与状态估计、高效灭火及防复燃等)、电池回收与综合利用等重点领域链条。
功率半导体大厂,都在走这条路
受量价齐升带动,汽车领域功率半导体市场份额逐年提高,目前占比已经达到35%,金额约为160亿美元。势不可挡的电动化趋势,量价齐升的需求空间,让车规功率半导体如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率器件等产品的重要性愈发凸显。不管是国内还是国外,不论是半导体厂商还...
三星申请场效应晶体管结构专利,实现顺序连接的无源器件
专利摘要显示,提供了一种场效应晶体管结构,包括:衬底,其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺杂区的一侧的第二掺杂区以及在第一掺杂区的另一侧的第三掺杂区;第一沟道结构,其中包括在衬底中的第二掺杂区上的第四掺杂区;以及第二沟道结构,在第一沟道结构的一侧,其中包括在衬底中的第三掺杂区上的第五掺杂区,其中...
厦门大学张荣院士团队在紫外光电探测器领域取得重要进展
该光调制双极结型晶体管同时兼顾了光电导和光电二极管的结构特点和探测特性,显著提升了增益带宽积,其优异的综合性能(响应度:0.43A/W,比探测率:4.11×1012Jones,上升/下降时间:70.50/71.83μs,破纪录的线性动态范围:159dB)已超过报道的同类紫外光电探测器和商业化产品。另外,这种光调制双极结型晶体管可以和...
京东方A申请晶体管及其制备方法、显示面板专利,晶体管具有双极性...
本公开两个不同迁移率的半导体结构使得所形成的晶体管具有双极性特征,从而可以利用晶体管的双极性特性提升晶体管的开关比(www.e993.com)2024年9月19日。
基础知识之晶体管
1、按结构分类根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。
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同时这一技术提升也促进了国际同类产品的追赶和改进;在高频源方面,玖谊源采用了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,相比国际上仍在使用上世纪50年代电子管技术的同类产品,玖谊源的高频源技术在设备的稳定性和可靠性上具有明显优势。同时,玖谊源亦提供标准化加定制化的屏蔽体设计,能够根据用户需求进行辐射防护计算和现场装配...
整理分类:晶体管的类型分析
双极结型晶体管也称为半导体晶体管。这是一种通过特定程序连接两个PN结的仪器,具有PNP和NPN两种组合结构。从外部引出三个极:集电极、发射极和基极。收集器是从收集器区域抽取的。发射器从发射区域引出。底座是从底座区域绘制的。BJT具有放大作用。为了保证这个传递过程,一方面必须满足内部条件。要求发射极区的...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
电路图与大功率TTL非常相似,这里缺少大功率TTL的Q晶体管。用于这种TTL的肖特基晶体管是一个基极和集电极由肖特基二极管连接的双极型晶体管。肖特基TTL电路这里从TTL电路输入和输出来看:1、输入标准2输入TTL电路标准3输入TTL电路2、输出TTL图腾柱输出...