韩媒称:中国DRAM内存芯片实力仅逊三星一代!
存储芯片种类繁多,但DRAM和NAND是其中的佼佼者,两者合计占据了市场的98%以上。DRAM主要用于手机和电脑等电子产品的运行内存,而NAND则用于数据存储,比如电脑中的固态硬盘SSD和手机里的ROM。从市场规模上看,DRAM所占份额高达约55.9%,NANDFlash则为44.0%。这两个领域基本上是三家公司垄断,2023年三星在DRAM市场...
突发!美国迫使韩国限制向中国出口HBM芯片
HBM(HighBandwidthMemory,高带宽内存)是一种高性能的3D堆叠DRAM技术,它通过硅通孔(TSV)技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,从而实现高密度存储和大幅提升的带宽和容量。HBM技术因其高带宽、低延迟和低功耗的特点,被广泛应用于高性能计算、人工智能、数据中心等领域。近日,韩美经济安保会议在美国华盛顿举行。...
存算一体芯片带来了哪些惊喜?详解其独特优势
RRAM使用电阻调制来存储数据,读取电流信号而不是传统的电荷信号,可以实现更好的线性电阻特性。然而,提高RRAM工艺性能的工作仍在继续,非易失性存储器固有的可靠性问题也尚未解决,因此它们仍主要用于低端计算和人工智能边缘计算。存储系统有哪些应用场景?低计算能力方案:边缘对成本、功耗、延迟和开发问题非常敏感。
北京君正:DRAM存储芯片价格上涨对公司无影响
公司回答表示:公司主要是汽车、工业和医疗等市场,目前对公司没有影响。
实现国产零突破!长鑫存储推出LPDDR5 DRAM存储芯片
太平洋科技资讯11月29日消息,近日,长鑫存储宣布,他们已经推出了最新的LPDDR5DRAM存储芯片,这是国内首款由自主研发生产的LPDDR5产品。这一重大突破标志着长鑫存储在国内市场的领先地位,并且进一步丰富了其在移动终端市场的产品布局。据了解,这个全新的LPDDR5系列产品包括12Gb的LPDDR5颗粒,以及采用POP封装的12GBLPD...
存算一体芯片,带来了哪些惊喜?
存储介质的三种主要选择存算一体芯片的存储介质主要可分为两大类:一种是易失性存储器,即在正常关闭系统或者突然性、意外性关闭系统的时候,数据会丢失,如SRAM和DRAM等(www.e993.com)2024年10月18日。另一种是非易失性存储器,在上述情况下数据不会丢失,如传统的闪存NORFlash和NANDFlash,以及新型存储器:阻变存储器RRAM(ReRAM)、磁性存储...
6月14日精选热点:这类存储芯片供需将超级失衡,这些公司受益
1、存储芯片:DRAM芯片将迎供需失衡“超级周期”,明年此产品供应缺口高达23%据媒体报道,摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格...
亿配芯城给你介绍一下华邦电子和这几颗常见的华邦储存芯片
存储类型:DRAM容量及组织形式等其他参数:需进一步查阅相关资料或数据手册W25N01GVZEIG厂商名称:WINBOND(华邦)其部分性能特点或许有:属于闪存芯片接口类型:SPI或其他特定接口工作电压:大概在2.7V至3.6V范围内工作温度:一般为-40°C至+85°C之间这些储存芯片具有灵活性和高性能的特点,适用于嵌入式系...
澜起科技获13家机构调研:今年以来,公司的PCIeRetimer芯片出货量...
问:MRCD、MDB芯片的主要功能是什么答:MRCD芯片用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、时钟、控制信号;MDB芯片用来缓冲来自内存控制器或DRAM内存颗粒的数据信号,在标准速率下,通过MDB芯片可以同时访问两个DRAM内存阵列(RDIMM只能访问一个阵列),从而实现双倍的带宽。
2026量产!再投171亿加码国产HBM芯片,国产HBM产业链在全球角色!
一旦先进封装厂建成,长鑫存储将负责生产HBMDRAM芯片,而睿力集成则将其进行堆栈;快速实现产能的扩充。三、国产HBM产业链突围从AI算力角度,我们知道AI芯片能力三个基础部件分别为:GPU、先进制程(含CoWoS先进封装),以及HBM。相比其他两大部件,目前国产HBM是“人有我无”的状态,但整个国产HBM产业链处于蓄力的过程之...