新型微纳光学元器件重新塑造皮秒 MOPA 激光器的结构和性能

其中一项创新成果为最新研发的单向微纳光学强度耦合器,该产品能够极大程度地延长采用半导体饱和镜锁模的超快激光器的使用寿命,从原先的不足1,000小时提升至超过10,000小时。此外,通过应用炬光科技研发的另外两种光纤专用组件,光纤放大器的增益值可从20-25dB提高到具有突破性的40-50dB,从而实现传统上只有串联两个...

2024年量子级联激光器行业现状分析:量子级联激光器广泛应用于医疗...

其特点主要包括宽光谱覆盖、高功率输出、高灵敏度和高分辨率等,这些特点使得QCL在科研、工业应用等领域中展现出广泛的应用前景。????从产业链来看,量子级联激光器行业的产业链涵盖了上游、中游和下游三个关键环节。上游主要关注材料和组件的供应,包括用于构建核心结构的半导体材料如砷化镓(GaAs)和铝镓砷(AlGaAs),以...

“鑫威源”实现高性能氮化镓激光芯片研制及产线通线试产

在同年9月,鑫威源实现了蓝光450nm激光芯片的重大技术突破:阈值电流小于0.25A,功率大于7W@3.5A,光电转换效率WPE达到45%,芯片综合技术指标处于国内顶尖水平。产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求,为后续的量产奠定了坚实的基础。作为新兴光电子行业的高科技企业,武汉鑫威源电子科技有限公司旨在...

电子组装结构中的创新:激光软钎焊加工进展(上)

半导体激光器输出激光的特征波长780~830nm,比Nd:YAG激光波长更短、效率更高、所需能量更少。此外,半导体激光器的使用寿命和服役时间很长(4000～5000h,最高可达10000h)。半导体激光器结构示意图与CO2激光器和Nd:YAG激光器相比,半导体激光器具有很多突出的特点:(1)半导体激光器是直接的电子-光子转换器,具有很高...

中科院半导体所在高性能电泵浦拓扑激光器研发方面获进展

由于SMDC设计未破坏有源区且SMDC结构具有高面辐射效率,该器件实现了150毫瓦的单模面发射峰值功率。此外,该器件具有涡旋偏振远场,通过引入相位调制,在保持拓扑激光器涡旋偏振特性的情况下,获得了对称性可调节的远场。该器件是理想的片上涡旋偏振光源。该工作为高性能电泵浦拓扑激光器研发工作提供了新思路,对推动高性能...

综述:高性能锑化物中红外半导体激光器研究进展

为了实现更高性能器件的研制,锑化物半导体激光器仍存在一些难点需要解决:(a)由于GaSb材料热导性一般,为了实现更高的功率输出,需要通过波导层渐变掺杂、限制层渐变掺杂和非对称掺杂等激光器结构来降低串联电阻,进一步提高输出功率;(b)为了实现大规模商用,需要进一步优化器件工艺,探索低成本高成品率的单模器件制备技术(www.e993.com)2024年11月10日。

普渡研发新型半导体纳米线激光器,有望用于光子电路和激光探测

其次，这种一维-二维混杂结构的半导体材料已经展现出独特的光电特性，能为进一步的性质研究和器件应用打下良好的基础。”他表示，本次杂化材料不仅具备独特的光电性能，并且具备较低的制备成本和加工成本（可溶液加工）。因此，这种新型半导体纳米线激光器有望被用于光子电路和光子计算器、激光探测及测距系统、生物医学探测...

用于VCSEL(高性能垂直外腔表面发射激光器)的单晶金刚石增益镜

这两类传感器工作时温度可达100℃以上，温度升高使单个量子阱的增益降低，材料产生应变，最终使输出功率减小、输出波长改变，工作稳定性、工作寿命都受到影响，所以对半导体激光器进行有效的散热是提高其输出功率和效率、改善光束质量、延长使用寿命的关键问题，解决半导体激光器的技术问题，才能更好提升量子传感器的性能指标...

市场规模发展趋势:预计2025年全球半导体激光器市场规模将超100亿...

5.半导体激光器行业技术水平及特点半导体激光器的技术水平主要体现在波长、功率、电光转换效率和可靠性等方面。在波长方面,砷化镓基激光器的发光波长范围通常在610nm到1300nm,企业能够实现的波长范围越广,其产品能够服务的应用场景越广阔。目前,国内砷化镓基激光器芯片厂商主要产品波段在780nm到1064nm的近红外波段,主要...

...团队实现III-V族半导体与硅的有效耦合,打破硅基光子半导体性能...

从硅基光电子学技术目前的发展来看,以硅材料为基础的微电子器件已经能够处理被动光学功能,但却很难有效地完成主动任务,比如产生光(激光)或检测光(光电探测器)等数据生成和读取时需要用到的关键步骤。那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成III-V族半导体化合物,也就是元素周期表中...