半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕

2)湿法刻蚀则通过化学试剂与晶圆的接触进行腐蚀,在集成电路的加工中对小于3μm的尺寸难以精确控制刻蚀的形貌,会对设定的线宽造成影响,但湿法刻蚀在成本、速度等方面更具优势,常用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。湿法刻蚀还可以用于制造光学器件和MEMS(微机电系统)等领域。(3)根据被刻蚀的材料不同,刻...

盛美上海2024年半年度董事会经营评述

背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转,腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺,在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。12、键合胶清洗设备键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除,涉及到Wafer边...

全球芯片正在破局……

相较于硅基器件，碳化硅材料制成的功率器件具备耐高压，耐高温，低能耗，小型化的特点，目前已被广泛应用于电动/混动汽车、充电桩/充电站、高铁轨交、光伏逆变器中；氮化镓材料通过外延层结构的不同，可以制成功率、射频、光电器件。现行氮化镓功率组件，分为硅基氮化镓及碳化硅基氮化镓两种晶圆，其中硅基氮化镓在面积...

中微半导体设备(上海)股份有限公司 2023年年度报告摘要

湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关,其原理是利用等...

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1、等离子体刻蚀技术刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等...

磷酸和氢氧化钾溶液对 N 面和 Ga 面GaN的化学蚀刻特性

图3显示,湿法蚀刻后,光致发光强度显著增加(www.e993.com)2024年11月19日。基于这些结果,我们得出结论,化学湿法蚀刻将表面变成了一种允许光子容易逃逸的结构。此外,我们没有观察到氮化镓表面金字塔的不同(十二边形和六边形)特征之间的光致发光强度有任何差异。结论我们研究了Ga面和n面氮化镓在热磷酸或氢氧化钾溶液中的蚀刻行为。在六角形和十二角...

从砂到芯:芯片的一生

刻蚀机刻蚀机与光刻机是一对好基友,二者都决定着芯片成品的性能,比如说,想要制造5nm芯片,光刻机和刻蚀机都要具有5nm工艺能力。光刻机的原理是用光将掩模版电路结构复制到晶圆上,刻蚀机则按光刻机复制的结构在晶圆上微观雕刻出沟槽或接触孔。打个比方,光刻机就像工匠在木板上划线,刻蚀机则按照木板上...

从砂到芯:芯片的一生_腾讯新闻

刻蚀机刻蚀机与光刻机是一对好基友,二者都决定着芯片成品的性能,比如说,想要制造5nm芯片,光刻机和刻蚀机都要具有5nm工艺能力。光刻机的原理是用光将掩模版电路结构复制到晶圆上,刻蚀机则按光刻机复制的结构在晶圆上微观雕刻出沟槽或接触孔。打个比方,光刻机就像工匠在木板上划线,刻蚀机则按照木板上划线进行...

从砂到芯:芯片的一生_腾讯新闻

刻蚀机刻蚀机与光刻机是一对好基友,二者都决定着芯片成品的性能,比如说,想要制造5nm芯片,光刻机和刻蚀机都要具有5nm工艺能力。光刻机的原理是用光将掩模版电路结构复制到晶圆上,刻蚀机则按光刻机复制的结构在晶圆上微观雕刻出沟槽或接触孔。打个比方,光刻机就像工匠在木板上划线,刻蚀机则按照木板上划线进行...

深度剖析国内主流VCSEL厂商在激光雷达上的应用布局

材料外延生长(晶圆)-->外延结构的表征(X射线衍射、反射谱、PL谱、电化学C-V特性等)-->芯片工艺制作(包括外延片开片清洗、SiNx生长、多次光刻、ICP刻蚀、氧化、金属电极、剥离、减薄等)-->后段工艺(包括划片解个、I-V特性、I-P特性、光谱等)-->最终完成从材料到芯片的全过程。