共话合作、共谋发展,德州举行第二代半导体材料发展研讨会
大会期间,举行了第二代半导体材料发展研讨会,会上,与会领导介绍了德州天衢新区集成电路产业基本情况和产业发展特点,一是重大项目接踵而至,链主型引领性龙头企业先后投资落地,二是全产业链初具雏形,打造形成了“一核多元”的产业布局,三是产业生态不断优化,项目落地和后续发展的支撑力越发强劲。各位专家围绕第二代半导...
“国产替代”新材料突围!
碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,也是第三代半导体材料的代表材料。碳化硅材料具有很多优点:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨耐高压。采用碳化硅材料碳化硅生产过程分为单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤,对应的是产业链衬底、外延、器件与模组三大环节。其中,衬底和外延占据主要价值,在产业链...
详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
2、第二代半导体材料:第二代半导体材料主要包括化合物半导体材料,例如砷化镓(GaAs)、铟锑化物(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;固溶体半导体,如锗硅(Ge-Si)、砷化镓-磷化镓(GaAs-GaP);玻璃半导体(非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;以及有机半导体,如酞菁、铜酞菁、聚丙烯腈等。这些材料主要用...
半导体新材料(忆阻器、第三代半导体等)电学特性研究方案及资料
第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。未来高频控制、低损耗的高性能全控型器件MOSFET、IGBT以及第三代半导体功率器件将成为市场发展的重心。以碳化硅(SiC)和...
江苏艾森半导体材料股份有限公司 2023年年度报告摘要
(二)登记地点:江苏省昆山市千灯镇中庄路299号江苏艾森半导体材料股份有限公司证券事务部。(三)登记方式拟出席本次会议的股东或股东代理人应持以下文件在上述时间、地点现场办理或通过信函、邮件的方式办理登记。1、法人股东应由法定代表人或其委托的代理人出席会议。由法定代表人出席会议的,应持营业执照复印...
快速了解第三代半导体及宽禁带半导体
第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点(www.e993.com)2024年10月22日。但是很多人容易被“第三代”半导体这个名字误导。赛道不同第一代、第二代、第三代半导体之间应用场景是有差异的。以硅(Si)、锗(...
第三代半导体,距离顶流差了什么
另外,高导热系数意味着材料在更有效地传导热量方面占优势。SiC比GaN和Si具有更高的热导率,意味着SiC器件比GaN或Si从理论上可以在更高的功率密度下操作。当高功率是一个关键的理想设备特点时,高导热系数结合宽带隙、高临界场的SiC半导体具有一定优势。GaN相对较差的导热性,使系统设计人员处理氮化镓器件的热量管理...
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...
1、第三代半导体特性(1)碳化硅根据《中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料)》,与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:①耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。
半导体材料为何「难投」,千亿市场如何破局? | 指数洞察
①制造材料:硅片、光掩膜、电子特气、CMP抛光材料、光刻胶、湿电子化学品、靶材等领域的行业特性、细分赛道不同,企业能力画像各有侧重;②封装材料:封装载板在国内长期供不应求,当前是布局良机;③第三代半导体材料:SiC与GaN产业链上,外延和衬底价值占比巨大,值得重点关注。
下一代芯片用什么半导体材料?专家:未来方向必然是宽禁带半导体
据介绍,第一代半导体材料是指硅、锗为代表的元素半导体材料,应用极为普遍,目前90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的;第二代半导体材料是以砷化镓、磷化铟为代表的化合物材料。李颖锐认为,从材料的角度说,未来发展方向必然是宽禁带半导体。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与...