【芯历史】国产光刻机研发是如何与行业脱节的;高启全退休 传至少...

同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻,此时中国科学界也已认识到,分步投影光刻技术的优越性,但限于国内工艺基础差,难以实现。但是根据八五、九五期间我国微电子技术发展的要求,迫切需要相当数量的分步光刻机,而当时国际上一台i线分步光刻机的售价是160万美元,一台准分子激光DSW光刻机的售价是210万美元,一套g...

中国光刻胶,离日本还有多大差距?

按曝光光源和辐射源的不同就分得更细了,可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻完成后的晶圆片每类都有前面说的正负性之分,品种规格很多,非常复杂,对应的配方和生产技术也简单不了,但总体上都包括三种成分:感光树脂、增感剂和溶剂。光刻胶的使用范围相当广,显示面板、...

光刻技术,有了新选择

光源的波长是影响光刻精度的主要原因，由于光源波长的限制，X射线曝光可达到50nm左右的精度，深紫外光源的曝光精度在100nm左右，而电子的波长较小，因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定，成本相对较低的特点，因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式...

天价EUV光刻,何去何从?

在未来光学光刻难以向前演进时,纳米压印技术或将是一条值得期待的光刻路线。定向自组装光刻(DSA)定向自组装光刻(DSA)是一种利用材料自身的分子排列规律,诱导光刻材料在硅片上自发组成需要的图案的方法,它比传统光刻分辨率更高,加工速度也不受影响,但它对材料控制的要求特别高。IMEC、麻省理工学院等机构都建立了自...

光刻技术的过去、现在与未来

光刻或电子束曝光:利用光刻或电子束曝光技术将设计好的图案投射到掩模上。这个步骤需要高精度的设备和技术,确保掩模上的图案与设计的图案完全一致。图案检验与修正:制作完成后,掩模需要进行严格的检验和修正。利用显微镜等工具检查掩模上的图案是否与设计一致,如果存在缺陷或不符合要求,则需要进行修正。

光刻技术,有了新选择-36氪

直写式光刻不需要掩模版,通过磁场直接控制电子束斑按照预设的轨迹在光刻胶表面照射,完成图案转移,就像是画画,铅笔类似于电子束,纸类似于光刻胶,而我们的手类似于磁场,通过手控制铅笔的移动完成图画的绘制(www.e993.com)2024年11月25日。由于基于掩膜的传统光刻技术,其成本正呈指数级攀升。无掩膜的电子束光刻技术则提供了补充性选项,因为不需要...

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。

光刻技术,有了新选择

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式划...

光刻技术,有了新选择_投资界

在不同的阶段,每一代光刻机都遇到了前所未有的挑战与难题,与此同时,光刻技术也在这个过程中不断演进。1、光刻技术的发展路径,接触式光刻技术接触式光刻技术出现于20世纪60年代,是小规模集成电路时期最主要的光刻技术,有着良率低、成本高的特点。