计算级3D超景深显微系统-徕科光学-新品
LENS物镜成像要求:显微镜物镜分辨率是显微成像的根本保证,本系统采用的数值孔径N.A值从0.015---0.9(空气介质)在正确照明下,能够得到边缘犀利,细节丰富的高分辨显微图像。APO复消色差技术的镜头:APO复消色差技术,有效的解决了镜头的色差、色散以及二级光谱,并进一步提升了成像质量,将光学分辨率提升接近理论极限。LDM长...
极端制造 | 双光子聚合光刻技术在成像光学领域的发展与应用
在对相关材料属性和加工工艺进行分析总结的基础上,作者对TPL在光学成像应用中的发展进行了分类总结,包括:折射透镜(图5)、衍射透镜(图6)、超透镜(图7)、梯度折射率透镜(图8)、镜头阵列、复眼(图9)、动态透镜(图10)、内窥镜(图11)、衍射光学神经网络、计算成像和其他光学成像系统(图12、图13)。(1)TPL的精确...
东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...
高数值孔径的镜头意味着可以吸纳更大范围的光源,也就意味着数值孔径的高低一定程度上决定了光刻机的分辨率以及套刻精度。现阶段主流光刻机的照明与投影物镜系统均内置光学调整功能组件,能够根据掩膜版的图案结合优化算法,采用最佳的曝光优化方案。光刻机通过照明系统、掩膜版、投影物镜、光刻计算等步骤的相互配合,实现最...
芯片内部为什么能这么小?100多亿个晶体管是怎么装进去的?
NA为数值孔径,它描述了透镜对光的汇聚能力,具体表现为平行光入射后的偏折程度(汇聚到焦点),计算表达式为:数值孔径(n为折射率)|图源Searchmedia-WikimediaCommons瑞利判据常用来评价成像质量,而光刻系统是在光刻胶中成像的。光刻胶是一种高对比度的成像介质,在某些曝光条件下,虽然光学分辨率已经达到了瑞...
没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?
图4:0.9NA光刻机镜头系统,NA(数值孔径)=n×sinθ做得这样复杂,也是为了尽可能将sinθ逼近理论极值1。目前ArF光刻机的镜头可将sinθ值做到0.93,EUV光刻机目前只能达到0.33,Hyper-NAEUV的目标值是0.75,也是ASML的终极项目。如果未来没有新技术发明出来,这很可能是芯片物理光刻技术的终结。
ASML:光刻机的故事(图)
EXE系统的最大亮点是HighNA,其中“NA”指的是数值孔径—衡量光学系统收集和聚焦光线的能力(www.e993.com)2024年10月20日。NXE系统的NA为0.33,而EXE系统为0.55。NA越高,系统的分辨率就越高。数值孔径的增大需要使用更大的光学镜头,这会增加光线照射到需要打印图案的刻线的角度。在较大角度下,掩模版会失去反射率,导致图案无法转印到晶圆上。
EUV光刻机,大结局?
2.增大投影光刻物镜的数值孔径NA;3.减小光刻工艺因子。除了分辨率之外,焦深DoF也是一个关键参数。在实际的光刻过程中,光刻机镜头会有一个焦点,而在这个焦点的周围存在一个晶片表面可以在垂直方向上移动的范围,只要光刻胶(即感光层)的厚度在这个范围内,那么整个胶层都能得到清晰的曝光,不会导致光刻分辨率出现...
【科普】芯片制造工艺:光刻(上)
在曝光波长缩短的同时,镜头设计的改进也导致曝光系统镜头的数值孔径(NA)得到改善,见图。在八十年代中期,NA值约为0.4,后来248nm曝光系统的NA大于0.8。使用空气作为透镜和晶圆之间介质的曝光系统的NA物理极限为1,实际极限约为0.9.(2)改变介质(折射率)--浸没式光刻...
eLight·封面 | 光纤内窥镜实时全彩视频成像
该器件具有22.5度的视场、>30mm的焦深(超过标称设计工作距离的300%)和最小的刚性尖端长度仅为~2.5mm(有效数值孔径为0.24)。与传统的商业梯度折射率(GRIN)透镜集成光纤束内窥镜相比,由于超构光学具有焦距更短和超薄特性,它的尖端长度减少了33%,同时成像性能相当,工作距离保持不变。
芯片内部为什么能这么小?电路城市的打造和精进
NA为数值孔径,它描述了透镜对光的汇聚能力,具体表现为平行光入射后的偏折程度(汇聚到焦点),计算表达式为:数值孔径(n为折射率)|图源Searchmedia-WikimediaCommons瑞利判据常用来评价成像质量,而光刻系统是在光刻胶中成像的。光刻胶是一种高对比度的成像介质,在某些曝光条件下,虽然光学分辨率已经达到了瑞利判...