她,读博七年,成果终登Nature Materials!|离子|栅极|晶体管|电化学...
有机混合离子-电子导体,主要是π-共轭聚合物,可同时传导电子与离子,常用作有机电化学晶体管(OECTs)的沟道材料,应用于生物电子和神经形态计算领域。与仅依靠电场调制电流的传统有机场效应晶体管不同,OECTs通过离子的体积掺杂调节沟道的电子导电性来切换设备状态。OECT的性能指标主要由体积电容和电子迁移率的乘积μC*...
...使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
专利摘要显示,场效应晶体管包括:源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域;浅沟槽隔离结构,包括位于漂移区域阱上面并且与源极侧掺杂阱横向间隔开的第一部分;栅极介电层;栅电极,位于栅极介电层上面;以及近端掺杂层堆叠件,嵌入在漂移区域阱内并且介于源极侧掺杂阱和浅沟槽隔离结构的第一部分之间。近端掺杂层...
...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
在理想的器件中,扩散长度可以直接由掺杂浓度、基层宽度和所得放大率计算。然而这里测量的放大并不代表晶体管本身的固有放大,而是代表器件作为电路的固有放大。放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,...
功率晶体管的历史和新兴设计
功率双极晶体管架构(图1左侧)与信号晶体管不同,它需要支持高电压和控制功率应用中所需的高电流。功率晶体管需要垂直结构,其中一个高电流端子(集电极)位于芯片底部,另一个高电压端子(发射极)在顶部。基极端子必须与发射极交叉,由于发射极拥挤效应,通态电流集中在发射极边缘。需要具有低掺杂浓度的厚漂移区来支持高电压...
晶体管发展历程回顾
NMOS晶体管形成在p型硅基板(也称为主体)上(www.e993.com)2024年8月15日。在器件的顶部中央部分,形成了一个低电阻率的电极,该电极通过绝缘体与主体隔开。通常,具有n型或p型重掺杂的多晶硅被用作栅极材料。在此,二氧化硅(SiO2或简单地为氧化物)用作绝缘体。通过将施主杂质注入衬底的两侧,形成源极和漏极。在图1中,这些区域用n+表示,...
功率半导体,尘埃未定
首先,我们有必要先回溯下功率半导体的发展历史:早在20世纪50年代末双极结晶体管(BJT)首次发明,20世纪60年代出现了功率二极管和晶闸管,70年代和80年代又出现了绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等新型功率半导体。此后,该行业不断通过设计和工艺上的优化来不断提升硅功率半导体的性能,...
高压SiC MOSFET研究现状与展望
高压SiCMOSFET在非钳位感性负载下的雪崩失效机理目前有3种解释,分别是由源区寄生双极结型晶体管(BJT)开启导致结温急剧上升产生坏点、温度升高导致沟道自开启和铝电极达到熔点,这3者最终都导致热失效,然而失效原因各不相同。白志强等人对P-well区的结构和掺杂进行调整和改进,通过降低BJT基区串联电阻和...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电,BJT既然叫双极性晶体管,那其内部也必然有空穴和载流子,理解这两种载流子的运动是理解BJT工作原理的关键。由于图中e(发射极)的P区空穴浓度要大于b(基极)的N区空穴浓度,因此会发生空穴的扩散,即空穴从P区扩散至N区。同理,e(发射极)的P区电子浓度要小于b(...
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
综上,碳纳米管晶体管理论上是一种兼顾高性能低功耗特性的器件,实验和计算结果表明其与传统晶体管相比具有5到10倍的综合能效优势,这种能效优势甚至能在亚10nm的实际物理栅长器件中得以保持[19]。可以说,碳纳米管晶体管完全具备延续摩尔定律所要求的材料器件本征优势以及微缩潜力,是后摩尔时代moreMoore方向的重要技术...