开关功率晶体管的选择和正确操作
如果驱动下晶体管的输入=栅极,则上晶体管(JFET)的源极将被拉至零,因此栅极和源极之间的电压变为零。上晶体管的栅极-源极电容由下晶体管极低(毫欧)的Rdson放电。如果下晶体管关闭,上晶体管的交流源电流会快速对节点下漏极-上源极处的电容充电,直到此节点处的电压达到上晶体管的夹断电压,从而...
美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
全球芯片关键技术研究最新进展
经过研究人员测量发现,在不同硼浓度及不同温度条件下,对碳化硅器件的影响:通过改变硼扩散温度(900至1150°C),成功调控了BDL(硼扩散层)中硼的浓度;通过改变硼浓度,BDL900样品的Dit(界面态密度)比NO1150样品低,尤其在导带边缘附近,Dit降低了约70%,显示高硼浓度对浅能级Dit的钝化效果显著。100mm超厚碳化硅单晶...
她,读博七年,成果终登Nature Materials!
图4a展示了晶体管关断时ID、载流子密度和平均载流子迁移率的瞬态响应。作者通过栅极电流积分和垂直去掺杂阶段沟道内的平均极化子吸收来计算载流子密度,两种方法得到的结果相符。图4b显示了作者计算的载流子迁移率与载流子密度的关系,发现迁移率确实依赖于载流子密度,尤其是在高密度区域。该关系也很好地拟合了作者提取的...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?|晶体管|台积电|洁净室_网易订阅
掺杂掺杂是将极少量的杂质引入半导体材料以改变其电导率的过程(www.e993.com)2024年9月11日。通过在硅中掺杂少量的V族元素(例如磷或砷),可以产生具有过量自由电子的n型半导体。通过掺杂少量的III族元素(例如硼),可以产生具有过量电子空穴的p型半导体。通过适当排列p型和n型硅,可以制造晶体管等组件。
钻石芯片,技术实现|电阻_新浪财经_新浪网
迄今为止,磷(phosphorus)已被认为是室温下*可靠的最浅n型掺杂剂,尽管与C(0.77??)相比,P(1.08??)的共价半径(covalentradius)较大且平衡形成能较高(highequilibriumformationenergy)(4–5.7eV))。然而,由于磷掺杂金刚石中载流子补偿比较大,在约1017cm-3的低施主浓度下(lowdonorcon...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
晶体管方面:SiCMOSFET结构与硅基MOSFET产品类似,主要分为平面型和沟槽型两类,并拥有高耐压、开关损耗低、导通损耗低、体二极管续流特性好、温度稳定性高等特点,其高电压下依然能保持高速度、高效率的特点使其向原有耐压较高,但频率特性较差的Si-IGBT产品发起竞争,并在未来有望对SiIGBT形成全面替代。目...
钻石芯片,首次实现
迄今为止,磷(phosphorus)已被认为是室温下唯一可靠的最浅n型掺杂剂,尽管与C(0.77)相比,P(1.08)的共价半径(covalentradius)较大且平衡形成能较高(highequilibriumformationenergy)(4–5.7eV))。然而,由于磷掺杂金刚石中载流子补偿比较大,在约1017cm-3的低施主浓度下(lowdo...
物极则反:掺杂浓度调节导电聚合物p型到n型的转变
高的双极性电导率使得DPPTTT具有高的p型和n型热电性能。p型电导率和功率因子分别高达23.4μW/m-K2,n型电导率和功率因子高达0.66μW/m-K2(如图一所示)。扫描电子显微镜(SEM)显示,薄膜形貌会影响其电导率,进一步提高掺杂剂浓度导致DPPTTT电导率减小,是因为聚合物链产生聚集,并且聚集体间的间隙随着掺杂浓度的...