Small:在六方氮化硼上的外延生长石墨烯

在氮化硼网格下方插入过渡Pt薄膜后,石墨烯位于h-BN顶部。扫描隧道显微镜和密度泛函计算表明范德华耦合的双层的莫尔图案是由于h-BN和Pt(111)的界面。虽然在Pt(111)上,使用干净的金属尖端进行成像,石墨烯蜂窝单元均匀地呈现为凹陷,但在h-BN上,它们排列成蜂窝状晶格,其中六个突出的晶胞包围着暗的晶胞。这种超结构在...

韩国称美国芯片补贴标准可能成为“负担”

据中国科技网3月28日消息,沙特阿卜杜拉国王科技大学研究团队成功将二维材料集成在硅微芯片上,可用于高级数据存储和计算。该研究团队将多层六方氮化硼的二维绝缘材料集成到包含由互补金属-氧化物半导体技术制成的硅晶体管的微芯片内,实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。未来,该研究成果有望帮助半导体公司降低制造成...

npj Computational Materials:武汉大学袁声军教授—站在衬底上的...

通过选择不同的二维材料并控制它们的堆垛方式可以获得具有不同物理性质的莫尔超晶格结构。其理论研究的难点之一,在于超晶格的晶胞通常包含数量众多的原子,导致基于密度泛函理论的第一性原理因庞大的计算量而难以展开。如目前对石墨烯/氮化硼莫尔超晶格的理论研究通常都是从低能有效模型出发,将氮化硼的效应以莫尔周期势的...

破天荒 | 2019上半年中国学者发表86篇Cell,Nature及Science文章

利用六方氮化硼晶畴中硼型和氮型锯齿形边界与Cu<211>台阶耦合强度的差异打破正向与反向(180°转角)六方氮化硼晶畴的能量简并,从而实现取向单一的晶畴生长并无缝拼接为二维单晶薄膜。该方法可推广至其它二维材料的大面积单晶制备,为二维材料的规模化高端器件应用奠定材料基础。16.高福等人首次鉴定肠道病毒B通用脱壳...

PRL导读-2018年120卷09期

这一重构算法生成一个重构函数,其误差指数减小,在帕多瓦点数量上运行时间是准线性的。此外,利用Q函数的插值多项式,作者提出了一种直接计算连续变量状态的密度矩阵元的技术,其输入测量误差的传播是线性的。再者,作者推导出此误差的与状态无关的解析界限,这样对密度矩阵的估计伴随着其不确定性的度量。(朱文静)...