左岸环境取得切边开沟机专利,可高效开沟并保持沟道深度和宽度

左岸环境取得切边开沟机专利,可高效开沟并保持沟道深度和宽度,httpsm.jrj/madapter/finance/2024/05/30100640827133.shtml

...半导体结构及其制造方法专利,能够调节不同半导体器件沟道宽度...

包括第一区域和第二区域;多个浅沟槽隔离结构,设置在所述第一区域和所述第二区域之间;第一浅沟槽隔离凹陷区,设置在所述第一区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内;以及第二浅沟槽隔离凹陷区,设置在所述第二区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内,且所述第二浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度小于或等于所述第一...

三星取得多方向沟道晶体管专利,提供了具有多方向沟道和拥有增加的...

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件“,授权公告号CN111725314B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示,提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管、以及包括该多方向沟道晶体管的半导体器件,其中该...

小流域河道沟道整治

(5)河道清淤工程应根据不同地区河道特点,统筹考虑河道宽度、河水深度、淤泥深度等因素后选择合适的清淤方案,对于珠三角河网地区河道可采用长臂挖掘机或者吸泥船进行清淤,对于山区河道可采用长臂挖掘机或普通挖掘机下河清淤。(6)清淤工程弃土处理方式的选取既要根据工程整体要求因地制宜,又要作经济合理性比较。应根据...

...最上面的半导体图案的上表面所处的第一水平处在第一方向上的宽度

金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和制造该半导体装置的方法“,公开号CN117438445A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法,所述半导体装置包括:基底,包括有源图案;一对沟道图案,在有源图案上沿第一方向彼此间隔开,...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

卷到“7nm芯片”时,“沟道宽度”是不是真的减到了7nm,已经不是重点,各有说法了,但本质没变:更小的纳米制程,就意味着更好的PPA,可以在更小的“办公室”里,塞下更多“员工”(www.e993.com)2024年11月20日。塞多少算够?做出14nm芯片,意味着要在每1平方毫米里,塞下3千多万个晶体管。

亳州市人民政府关于印发亳州市城市控制性详细规划通则(2024年修订...

2、道路分类及计算方式(1)城市道路包括快速路、主干路、次干路和支路。(2)城市道路用地面积宜占城市建设用地面积的15%—20%(计算城市道路用地面积时,道路两侧绿化带、道路内宽度在8米及以上的道路绿化用地及高速公路用地不计入在内)。(3)道路交叉口视距三角形道路切角线控制(具体数值参照表3—1)。

极端天气下,如何避免公路垮塌?

他对《中国新闻周刊》解释,地下排水涵洞就是设置于公路地下的用混凝土建造的小型排水隧道,相当于暗渠,排水宽度至少在两米,“可以让洪水从公路下方排走”。过去,许多省道在建设中忽略了涵洞设计,这与工期、成本有关,也与对极端天气认识不足有关。对已建成的公路,张星坦言,改造涵洞不仅成本高昂,施工复杂,而且可能带...

3种电池充电器反向保护电路介绍

二、N沟道MOSFET设计1、第一种解决方案时使用NMOS隔离器件根据电路算法,如果电池电压超过电池充电器输出电压,则必须禁用隔离MOS管。在此电路中,MN1连接在充电器/负载和电池端子之间的电线的低压侧,像上面的NMOS管方法中的情况一样。然而,在电池反向连接的情况下,晶体管MP1和Q1现在提供禁用MN...

半导体芯片,到底是如何工作的?

耗尽层越宽,沟道就越窄,沟道电阻越大,能够通过的漏极电流(图中ID)就越小。沟道被耗尽层全部覆盖的状态,就叫做夹断状态。JFET晶体管工作时,只需要一种载流子,因此被称为单极型晶体管。1959年,又有一种新的晶体管诞生了,那就是大名鼎鼎的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFET,金属氧化物半导体场效应晶体...