我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,由中国科学院金属研究所刘驰、孙东明研究员和成会明院士主导,与任文才团队和北京大学张立宁团队合作使用石墨烯等低维材料,构建了一种既可以降低功耗、又具有“负电阻”等功能的热发射极晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。相关成果以“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”为题,15日...
中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature
此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻(如图3所示),展示出其在多值逻辑计算中的应用潜力(如图4所示)。图1.晶体管器件结构和基本特性。a.器件结构示意图;b.横截面图;c.晶体管阵列;d.转移特性曲线;e.输出特性曲线。图2.超低亚阈值摆幅特性和受激发射机制。a....
开辟新领域!我国科学家成功发明“热发射极”晶体管
载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载流子,从而导致电流急剧增加。这一设计使晶体管电流每变化一个数量级,所需的电压变化小于1毫伏,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限。此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻,展示出其在多值逻辑计算中的应用潜力。研究人员表示,该...
怎么测量功率管的好坏?
测量功率管质量的方法是使用万用表来测量电极间的电阻。具体方法是将万用表设置在R100或R1K,阻断发射极和集电极的正向电阻。如果发现发射极和集电极正向电阻很大或者反向电阻很小,那么可以判断功率管已经损坏。相反,如果发射极结和集电极结的正向电阻值都很低,则可以确定功率管是好的。功率开关是一种能够承受大电...
金属所/北大联手,最新Nature!
这些现象符合SEHC机制:在输出特性中,对于每一个负偏压Vb,随着负偏压Vc的增加,发射极-Gr处的热空穴被集电极收集,产生很大的负Ic,逐渐达到峰值电流;当Vc进一步增加时,基极-Gr/Ge结的偏压由正向偏压变为反向偏压,载流子注入过程停止,产生谷值电流。图3.负微分电阻...
分析一个极简的电源电压检测电路
该电路设计要点在于选择合适的基极、集电结、发射结的电阻,使得三极管Q1处于饱和导通状态;假设三极管仍然处于放大状态,电源电压为Vin,MCU端口输出高电平为VO;B极电流为IB,C极电流为IC,BE极的压降为VF;电阻R1两端的电压为VE,三极管CE两端的电压为VCE,...
基础知识之晶体管
VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。图1.热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。(假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10VIE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1...
硬件工程师必知的几十个电路设计问答
答:基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路,简称共基、共射、共集放大电路。共射放大电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻在三种电路中居中,输出电阻较大,频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。共基放大电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压...
几张动图搞懂三极管
b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画所示:如果基极电压翻倍,电荷分布会继续发生变化,发射结宽度会变得更窄,这扇大门变得更宽了,将会有更多的电子跑到b级。如下方动画所示:由于RB是大电阻,Ib就算翻倍了也还是很小,所以更多的电子会穿越集电结...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...