大众投票开启 | 2024中国十大新锐科技人物评选入选工作展示

果简介:首次在天然单晶石墨烯中实现了量子反常霍尔效应,为实现量子反常霍尔这一重要物理效应提供了新思路和新的技术路线。4号候选人实验上首次发现类引力子入选工作:EvidenceforchiralgravitonmodesinfractionalquantumHallliquids.Nature628,78–83(2024).DOI:10.1038/s41586-024-07201-w发表刊物...

QD中国样机实验室引进M91快速霍尔测量仪,极低迁移率材料测量速度...

??全自动检查样品引线接触质量,提供完整的霍尔分析??计算范德堡接线样品以及HallBar样品相关参数??FastHall测量技术在采用范德堡接线时可将载流子迁移率测量极限缩小到0.001cm2/(V·s)??可在显示屏直观显示检测过程,并具有触摸操作功能实时执行相关测量指令标准电阻套件——M91可以通过DynaCool杜瓦LEMO...

石墨烯 | 双层石墨烯中2π的非常规量子霍尔效应和Berry相

在双层器件中,载流子迁移率μ通常约为3,000cm2V??1s??1,低于单层石墨烯器件。这是令人惊讶的,因为人们通常预计在单层石墨烯的情况下会有更多的损坏和暴露,因为单层石墨烯从两侧都不受直接环境的保护。图2a显示了双层石墨烯在固定Vg(固定n)和高达30T的变化磁场B下的典型QHE行为。在高B中的Hall电阻率...

国家最高科学技术奖揭晓,今年诞生了最年轻的获奖者

量子霍尔效应是凝聚态物理中的一个重要量子效应,可以改变电子的运动轨迹,使其像在高速公路上行驶的汽车一样有序,减少了中间阻碍,降低热量消耗率,加快运行速度。整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的实验发现分别于1985年和1998年获得诺贝尔物理学奖。由于传统量子霍尔效应需要强磁场、极低温、高载流子迁移率样品才能出现...

钻石芯片,技术实现

补偿受主浓度NA约为2×1016cm-3。在室温下,通过霍尔效应测得的电子迁移率约为623cm2V-1s-1。轻掺杂的n-层即使在573K时也表现出212cm2V-1s-1的高电子迁移率(图S6,支持信息)。轻掺杂n-层薄膜的电阻率在室温下约为106Ωcm,在573K时降至100Ωcm(图S7,支持信息),热活化能ED约为0.57eV。

检测霍尔传感器,真懂的修理工不多

从而使信号转子的齿缺与凸齿转过霍尔电路(与触发叶片式相同)的探头,使信号转子与探头间的气隙发生变化,磁通量随之变化,根据霍尔效应,在传感器的两端就会产生交变电压信号,一般有三线或两线式,三线式:一根为电源线一般12V,也有8V、5V、9V;一根为信号线,提供5V参考电压,通过晶体管的导通或者关闭,实现0V和5V的脉冲...

史无前例的精准测量!先进的低温探针台让数据不再漂移

该设备典型的应用包括在高低温下的I-V和C-V曲线测量、微波和光电响应测量、表征可变磁场中的磁输运特性,测量霍尔效应以了解载流子及迁移率,以及其他各种材料研究等。LakeShore低温探针台系列若您对设备有任何问题,欢迎扫码咨询!应用领域纳米电子学...

科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率

一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,而电极的大小制约其空间分辨能力,并直接影响测试结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。

科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率

一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,而电极的大小制约其空间分辨能力,并直接影响测试结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。

浅析几种迁移率概念——DJ from进化半导体材料有限公司

其中q是元电荷,n是载流子浓度,σ是电导率,ρ是电阻率。这种方法的优势是可以直接得到材料的电阻或者电导率,然后可以计算迁移率。其缺点是需要由独立的测试得到载流子浓度,增大了测量误差。(2)霍尔迁移率霍尔迁移率是利用霍尔效应测量得到的迁移率,它跟电导迁移率的不同在于其需要测量其霍尔系数:...