朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...
可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HOCO...
科学通报|核壳结构设计及界面键合实现氮化钽光阳极快速空间电荷分离
氮化钽(Ta3N5)由于其较窄的带隙(Eg:~2.1eV)和适宜的价带、导带位置,在光电化学水分解方面具有较大应用潜力。虽然目前通过元素掺杂、晶面工程、形貌调控、缺陷工程和异质结构构建等策略,已经对Ta3N5光阳极进行了广泛的研究,但较低的电子-空穴分离效率仍然严重限制了其太阳能-氢能转换效率。这主要是因为:...
光伏设备一级市场系列研究:降本增效目标下的技术迭代
竖直跃迁是指半导体中导带的最小值和价带的最大值在k空间处于同一位置,电子要跃迁到导带上只需要吸收光子能量这一个过程,而非竖直跃迁是指电子吸收光子的同时伴随着吸收或发出一个声子引起晶格内部的震动。从跃迁概率上讲,由于非竖直跃迁中电子跃迁既需要能量又需要动量,所以电子从价带跃迁到导带的可能性大大降低;而...
西安交通大学丨王峰,郭烈锦等:光催化CO2还原制碳氢燃料系统优化...
传统的光催化剂,如TiO2[30,46]、ZnO[47]等由于其合适的导带和价带位置,通常具有同时光催化CO2还原和H2O氧化的能力。但是,较宽的带隙只能吸收利用紫外线,限制了整体太阳能利用效率。因此,选用带隙较窄且带边位置合适的半导体,可将光吸收从紫外波段扩展至可见波段甚至近红外波段。例如,Yu等[48]通过...
重磅发布!国内首部二维半导体理论专著《二维半导体物理》
它们的数量相对较少(1018??1020cm??3),主要集中在导带底或价带顶附近(www.e993.com)2024年9月10日。因此用有效质量理论能很好地描述它们,半导体的掺杂技术能有效地控制半导体中的载流子(电子或空穴)浓度。在20世纪下半叶,半导体集成电路和光电器件大大发展,引起了信息技术的革命。但到目前为止,二维半导体中的载流子类型和浓度,...
黑磷基异质结构光催化剂丨Engineering
应变调控的BP导带底(CBM)位置比H+/H2电势更负,而价带顶(VBM)位置比O2/H2O电势更正。BP具有合适的带隙宽度和导带价带位置,因此可以作为可见光驱动分解水的光催化剂。图2(a)采用Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06,杂化泛函计算)方法得出的引入单轴应变的BP导带底(CBM)和价带顶(VBM)位置;(b)通常条件或单轴...
SiC和GaN,战斗才刚刚开始
与它们所取代的硅半导体相比,GaN和SiC更接近这一理想状态。首先,考虑击穿场强。GaN和SiC都属于宽带隙半导体。半导体的带隙定义为半导体晶格中的电子从价带跃迁到导带所需的能量,以电子伏特为单位。价带中的电子参与晶格内原子的键合,而导带中的电子可以在晶格中自由移动并导电。
光芯片行业专题报告:从II~VI和Lumentum看光芯片国产化
带隙是电子从低能级(价带)跃迁高能级(导带)所需吸收的最小能量,对应的是价带顶部与能带底部的能量差距。直接带隙是指在能量-波矢图中,元素电子的价带底与导带顶对应的波矢相同,反之,若二者波矢有异,则称为间接带隙。对于直接带隙结构,电子在价带与导带间的跃迁只需满足能量守恒;对于间接带隙结构,由于价带...
舱内感知技术全面解析,国内外产业链高速发展
例如,眨眼率、PERCLOS(闭眼百分比)和打哈欠可用于识别困倦,而眼睛注视和头部和手部运动可用于分心检测。随着计算能力和算法设计的进步,可以实现对驾驶员状况的实时检测。值得一提的是,驾驶员的面部和身体表情可以用来判断驾驶员的情绪。因此,通过监测驾驶员的生理状况,可以提高他们的安全性。DMS通常放置在驾驶员直接接...