存储芯片行业专题报告:HBM算力卡核心组件
根据SK海力士官网资料,在典型的DRAM中,每个芯片有八个DQ引脚,也就是数据输入/输出引脚。在组成DIMM3模块单元之后,共有64个DQ引脚。然而,随着系统对DRAM和处理速度等方面的要求有所提高,数据传输量也在增加。因此我们认为,典型DRAM的DQ引脚数量已无法保证数据能够顺利通过,故...
3DDRAM行业报告:3DDRAM时代,国产DRAM迎来变革契机
1、新型智算中心改造系列报告二:拉动全球电力消耗增长,液冷渗透率快速提升2、新型智算中心改造系列报告一:网络成大模型训练瓶颈,节点内外多方案并存《国产异构处理器定位优化技术合集》1、面向申威众核处理器的规则处理优化技术2、神威超级计算机运行时故障定位方法2024中国半导体深度分析与展望报告面向异构硬件架构...
HBM:高性能计算的新引擎
在典型的DRAM芯片中,每个芯片有八个DQ数据输入/输出引脚,组成DIMM模组单元后共有64个DQ引脚。然而,HBM通过系统级封装(SIP)和硅通孔(TSV)技术,拥有多达1024个数据引脚,从而显著提升了数据传输速度。在HBM技术的推动下,DRAM芯片实现了从2D到3D的转变,这可以在很小的物理空间内实现高容量、高带宽、低延时和...
HBM专题报告:释放AI硬件性能,AI高景气持续驱动需求高增
HBM(HighBandwidthMemory,高宽带内存)采用硅通孔(TSV)技术将多个DRAM芯片进行堆叠,并与GPU一同进行封装,形成大容量、高位宽的DDR组合阵列,从而克服单一封装内的带宽限制。相较于传统DDR内存,HBM具有高带宽、低功耗、低延时等优势,已成为当前高性能计算、人工智能等领域的首选内存技术。以英伟达H100SXM5为例,...
DRAM,新竞赛!
相关报道指出,为了支持R1的高速处理,SK海力士开发了定制的1千兆位DRAM。据悉,新DRAM将输入和输出引脚数量增加了八倍,以最大限度地减少延迟。这种芯片也称为低延迟宽IO。据专家介绍,新芯片似乎还采用了一种特殊的封装方法——扇出型晶圆级封装——作为单个单元连接到R1芯片组。
AI芯片“最强辅助”HBM,发展到哪一步?| 研报推荐
一般来说,DDR4内存主频为2666~3200MHz,带宽为6.4GB/s,但是在AI应用中(高性能计算/数据中心),算力芯片的数据吞吐量峰值在TB/s级,主流的DRAM内存或显存带宽一般为几GB/s到几十GB/s量级,与算力芯片存在显著的差距,“内存墙”由此形成(www.e993.com)2024年10月19日。以Transformer类模型为例,模型大小平均每两年翻410倍,而AI硬件上的内存大小...
万字聊聊汽车MCU芯片
车规级MCU芯片的时钟频率是其重要的性能指标之一,直接影响其运算速度和处理能力。例如,底盘域MCU可能需要具备主频不低于200MHz的要求,以满足高性能和高算力的需求。低频率如8MHz适用于对性能要求不高的简单控制任务,而高频率如1.2GHz则适用于高性能计算和复杂的实时控制任务。
汽车MCU芯片知识点梳理
车规级MCU芯片的时钟频率是其重要的性能指标之一,直接影响其运算速度和处理能力。例如,底盘域MCU可能需要具备主频不低于200MHz的要求,以满足高性能和高算力的需求。低频率如8MHz适用于对性能要求不高的简单控制任务,而高频率如1.2GHz则适用于高性能计算和复杂的实时控制任务。
一颗改变了世界的芯片
芯片中的电源和数据路径数据总线提供流经芯片的数据流。下图显示了8008的8位数据总线,其中8条数据线为彩虹色。数据总线连接到芯片上半部外侧的8个数据引脚。总线在左侧的ALU、指令寄存器(中上)以及右侧的寄存器和堆栈之间运行。总线在左侧分开,ALU两侧各占一半。
揭穿DRAM的一些谎言
DRAM存储容量趋势(每个硅芯片)(1990-2023年)为每个接口系列绘制的DRAM存储容量(每个硅芯片)趋势(2000-2023年)LPDDR系统在数据输入/输出速度上超越DDR系统接下来是数据输入/输出速度(数据传输速度)。自ISSCC发布以来,绘制了2000年至2023年每引脚的速度(Gbps/引脚)。DRAM数据传输速度根据接口系列...