芯片制造中的软力量(下)_腾讯新闻
2021年8月5日 - 腾讯新闻
随着半导体工艺变得更加复杂(例如,对于鳍式场效应晶体管[finFET]结构)和计算算法越来越复杂,可用性变得更加严重。而且,精确的TCAD仿真和物理器件建模严重取决于校准的物理模型和适当的输入数据。随着互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极技术的缩小,许多次级效应变得更加明显,例如漏极引起的势垒降低,工艺变化,栅极隧穿泄漏,...
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随着半导体工艺变得更加复杂(例如,对于鳍式场效应晶体管[finFET]结构)和计算算法越来越复杂,可用性变得更加严重。而且,精确的TCAD仿真和物理器件建模严重取决于校准的物理模型和适当的输入数据。随着互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极技术的缩小,许多次级效应变得更加明显,例如漏极引起的势垒降低,工艺变化,栅极隧穿泄漏,...