吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...
威兆高效MOS管获数百款产品采用_腾讯新闻
开关频率高,更高效,导阻为8.5m??。这款器件同样采用无铅无卤素工艺,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。相关阅读:1、拆解报告:美富达100WUSBPD桌面快充充电器威兆VS3510AE威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关频率高,导阻为10m??。这款器件10...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时,所需的电流值,公式如下:**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不...
支持AMD AM5 CPU,技嘉B650E AORUS PRO X USB4主板拆解
外置的驱动器来自RICHTEK立锜科技,丝印4P=,型号为RT9624FGQW,用于单相同步降压MOS管驱动,可驱动两个NMOS,具备直通保护,芯片内置自举二极管,支持高开关频率,具备三态PWM输入,用于输出关断,采用WDFN8封装。另一颗同驱动器型号相同。两颗同步降压开关管来自安森美,丝印4C10N,型号为NTMFS4C10N,NMOS,耐压30V,导阻6.95...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级,这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过...
问界新能源汽车前装无线充电模块全面升级!拆解看看设计做工
用于切换无线充电线圈的MOS管来自DIODES,型号DMTH10H017LPDQ,双NMOS,耐压100V,导阻17.4mΩ,工作温度175℃,符合AEC-Q101标准,采用PowerDI5060-8封装(www.e993.com)2024年9月9日。另一路无线充电电路同步升降压电路同样采用芯源半导体MP4284。四颗同步升降压开关管为DIODESDMTH43M8LFGQ。
高性能计算市场大涨,不起眼的元器件价值量提升8倍
在高性能计算系统,特别是AI服务器的电源管理系统中,电感方案越来越多,除了上述的TLVR,还有一体成型电感、芯片电感、超薄一体成型电感等产品。芯片电感起到为芯片前端供电的作用,主要用于电压、电流转换,常见于电源管理芯片(PMIC)、FPGA供电电路中。在高性能计算系统中,芯片电感、电容、MOS管与驱动芯片共同构成供电电路...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作...
获联想、努比亚等知名品牌采用的硅动力电源芯片,你还不来看看
硅动力SP5620HP是一颗电流模式PWM控制芯片,内部集成650V耐压MOS管,开关频率为65KHz。SP5620HP在启动和工作时只需要很小的电流,可以使用较大的启动电阻,从而进一步减小待机时的功耗。芯片还内置跳频和抖频功能,能够减小待机功耗,改善EMI性能。1、拆解报告:T&W共进电子18WDC电源适配器...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。