解锁电子雷管新潜能:MOS管静态参数测试引领创新之路

MOS管的VDSS,VGS(th),RDS(ON),IDSS,IGSS。03解决方案为满足客户的测试需求,推荐TH1992高精密源表。(1)TH1992是一种可跨领域广泛应用的IV测试设备,可以在四个象限内执行出色的电流/电压输出与测量,并且集成了电流源、电压源、电压表、电流表、电阻表、功率计等功能,各功能可任意切换。(2)TH1992可输出...

MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N0...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态损...

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

a.**ID(持续漏极电流)**:该参数含义是mos可以持续承受的电流值,在设计中,产品的实际通过电流值应远小于该值,至少应小于1/3以下,例:该mos管的使用持续电流应小于50A。b.**PD(mos管的最大耗散功率)**:该参数是指设计中,实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积,不应大于该值。所以该值的很大...

MOS管及其外围电路设计

因此在实际设计时,一般先根据式(4)计算出Rg下限值的一个大概范围,然后再通过实际实验,以驱动电流不发生震荡作为临界条件,得出Rg下限值。图2mos开通时的驱动电流1.2驱动电阻的上限值驱动电阻上限值的计算原则为:防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求(www.e993.com)2024年11月11日。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

在看一些元器件的DATASHEET文件时,经常会碰到元器件的参数,IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的最大最小电流,但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊,如:IOL=1.5MA;IOH=-300UAIIL=-100UA;IIH=10UA;参考答案:IOL和IOH表示输出为低、高电平时的电流值,同样-号表示从器件流出的...

MOS管驱动电流估算

当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试MOS管的过冲波形。在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算。下面讲讲MOS管开通过程开始给MOS管Cgs充电,当电压升到5V时,Id流过一定的电流。继续充...

干货| MOS管加三个元件就组成BUCK电路,为何说难点在于电感?

在BUCK电路中,电容和二级管的选取相对比较容易的,电感的两个参数,电感电流大小的选择也还好(实在不会,饱和电流和温升电流选二者小的电流能满足要求的即可),但电路中电感的感值选取和计算是我们经常所面临的一个难点;所以小编认为BUCK电路学习中,电感才是最重要的器件,大家怎么看?

萨科微热销整流桥及主要参数介绍

萨科微的整流桥热销型号有DB207S,其主要参数有:反向工作电压(VRRM)为1000V、直流输出电流(Io)为2.0A、正向压降(VF)为1.1V、瞬态冲击电流(IFSM)为60A、封装为DBS,具有效能转换高、输出电流能力高、功耗低、瞬态电流承受能力高、安装和集成方便等特点,萨科微卖的好的桥堆有MB6S、DB107S、MB10F、ABS210等型号。