【原创】2024年度日产驱动电机冷却系统简析
目前主流的损耗计算方法主要采用二维有限元法和三维有限元法,这些方法将电机划分为有限元模型,将连续的求解域剖分成若干个单元以实现离散化,再通过连续函数近似描述每个单元的解。电机的损耗主要包括电磁损耗和机械损耗,其中机械损耗又进一步包括通风损耗和摩擦损耗,通常对大型电机影响较大。然而,要精确计算这些损耗非常困难...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压VDS(off)应力下产生的漏电流IDSS造成的损耗。截止损耗计算:先通过计算得到MOSFET截止时所承受的漏源电压VDS(off),在查找器件规格书提供之IDSS,再通过如下公式计算:Poff=VDS(off)×IDSS×(1-Don)说明:IDSS会依VDS(off)变化而变化,而...
捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利...
金融界2024年8月14日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法“,授权公告号CN111430464B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示,本发明涉及一种降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法,它包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、沟槽、第...
捷捷微电获得发明专利授权:“降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示捷捷微电(300623)新获得一项发明专利授权,专利名为“降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法”,专利申请号为CN202010317951.7,授权日为2024年8月13日。专利摘要:本发明涉及一种降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法,它包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、沟槽、...
打破技术天花板!揭秘沟槽型碳化硅MOSFET芯片的创新突破
目前,碳化硅在功率器件领域的应用主要以平面型MOSFET芯片为主。然而,平面型结构在导通损耗、开关性能等方面存在一定局限,已经难以满足新兴应用领域的高性能需求。沟槽型结构的设计,通过在芯片材料上“挖坑”,显著降低了导通损耗,提升了芯片的整体性能和晶圆密度,这为碳化硅功率器件的应用开辟了新的可能性。平面型...
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
如果VIN是变化的,需要在VIN(MAX)和VIN(MIN)下分别计算开关MOSFET的功率耗散(www.e993.com)2024年9月20日。MOSFET功率耗散的最坏情况可能会出现在最低或最高输入电压下。该耗散功率是两种因素之和:在VIN(MIN)时达到最高的阻性耗散(占空比较高),以及在VIN(MAX)时达到最高的开关损耗(由于VIN??项的缘故)。一个好的选择应该在VIN的两种极端情...
使用示波器自动化测量电源开关损耗
示波器测试开关损耗的新方案:泰克的POWER高级功率测量和分析软件为开关损耗测量提供了定制化自动设置功能,并且符合IEC60747-8和IEC60747-9的测试方法,告别复杂设置,现在只需按一个按钮,就可以执行全套开关损耗功率和能量测量。软件中可以选择算法模型,支持MOSFET和BJT/IGBT算法;电源类型支持SMPS、PFC和Flyback;...
...开发出安装可靠性高的 10 种型号、3 种封装的车载 Nch MOSFET...
MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。*2)NchMOSFET通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。与PchMOSFET相比,由于NchMOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎。
高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√
简单来说,如果RON=ROFF=Rg,与没有外部栅极电阻相比,Psw将是总功率耗散的一半。图6.内部上拉和下拉电阻。以NCV51511为例,根据Vdd/峰值上拉(或下拉)电流计算,RON为2Ω,ROFF为1Ω。如果在输出引脚和MOSFET栅极之间插入1Ω,则栅极驱动损耗将降至83%。
亚成微申请分离栅MOSFET结构及其制备方法专利,专利技术能达到更高...
本发明的分离栅MOSFET结构具有更高的耐压、更快的开关速度和更小的开关损耗。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市有风险,投资需谨慎!