革新ZVS软开关技术,QorvoSiCFET解锁高效率应用潜能
低关断损耗:尽管ZVS技术旨在降低开通损耗,但关断过程中的硬开关损耗依然存在,是第二大损耗来源。因此,器件在关断时应具备快速的电压转换能力和低损耗特性,以减少能量在关断过程中的消耗。低栅极电荷(Qg):ZVS应用由于消除了关断损耗,可以支持更高的开关频率。较低的栅极电荷意味着在高开关频率下,栅极驱动损耗更小,特...
MOS 管的死区损耗计算
死区F---tDr:下管关断,上管还没开启,下管体二极管续流,电流接近最小值Io-ΔI/2,由于死区时间很短,工程上计算可以近似为死区F的电流恒定,以方便计算。死区F对应的功耗为:工程上快速估算时,也会用把两个死区的电流平均化,近似用Io替代,一个完整的开关周期的死区损耗如下:...
...专利技术能达到更高的耐压、更快的开关速度和更小的开关损耗
亚成微申请分离栅MOSFET结构及其制备方法专利,专利技术能达到更高的耐压、更快的开关速度和更小的开关损耗金融界2024年1月31日消息,据国家知识产权局公告,陕西亚成微电子股份有限公司申请一项名为“一种分离栅MOSFET结构及其制备方法“,公开号CN117476771A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明涉及MOS管领域,具...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆炸,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉。因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一...
MOS管基础及选型指南
导通内阻关注NMOS的Rds(on)参数,导通内阻越小,NMOS管的损耗越小,一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。5、开关时间MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。
MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高(www.e993.com)2024年8月1日。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。开关损耗当然,随着器件的进步,开关管开关...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
快充芯片方案不知怎么选?速看这些选用华源智信芯片的案例
内置的自适应的MOS管栅极驱动器能够平衡开关损耗和EMI特性,内置12V栅极驱动电压钳位,支持低于20mW超低待机功耗应用场景。芯片内置输出过压和欠压保护,具备供电过压保护,变压器饱和保护,过载保护,过热保护和采样电阻保护功能,适用于充电器,待机电源以及适配器应用。