8种开关电源MOS管的工作损耗计算
导通损耗,指在MOSFET完全开启后负载电流(即漏源电流)IDS(on)(t)在导通电阻RDS(on)上产生之压降造成的损耗。导通损耗计算:先通过计算得到IDS(on)(t)函数表达式并算出其有效值IDS(on)rms,再通过如下电阻损耗计算式计算:Pon=IDS(on)rms2×RDS(on)×K×Don说明:计算IDS(on)rms...
华芯邦卓越性能碳化硅SiC MOSFET在新能源汽车充电领域的应用
MOS管具有低开关损耗、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于高频开关应用。在新能源汽车充电机中,MOS管用于控制充电电流的开关。深圳市华芯邦科技有限公司提供多款高压MOSFET产品和碳化硅功率模块,这些器件具有高可靠性和稳定性,能够满足新能源汽车充电设备的需求。MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的...
MOS管基础及选型指南
导通内阻关注NMOS的Rds(on)参数,导通内阻越小,NMOS管的损耗越小,一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。5、开关时间MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。6、封装根据PCB板的尺寸,选择合适的NMOS管尺寸,在板...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆炸,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉。因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一...
电源设计MOS管驱动电路
(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。(5)根据情况施加隔离。
华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获...
导读:华羿微电子获专利,开发低栅极电荷屏蔽栅MOSFET,优化高频特性与开关损耗,适用于中高压领域,显著提升性价比(www.e993.com)2024年9月9日。天眼查显示,华羿微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”的专利,授权公告号为CN117476770B,授权公告日为2024年7月19日,申请日为2023年11月16日。背景技术...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
假设每次开关管每开关一次产生的能量损耗是一定的,记为Esw,那么开关管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关电源来说,显然是不可接受的。所以,开关损耗是限制开关频率的第二因素。
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
快充充电宝、充电器、充电线上游功率器件企业都来这个展会了
我司除了采用功率技术是最前沿的SGT技术外,并且坚持不间断的研发改进产品,超越现有规格限制、发展最新制程,以创造最低导通阻抗、最小开关损耗、最小封装尺寸、最高效率为使命。恒泰柯MOSFET用于功率在5W到5KW或以上的系统,包括电动车、汽车控制器、各型马达驱动、大型工业用系统、电动工具、开关电源、锂...
标金牌却是白金实力!全汉Vita GM 1000W ATX3.1电源拆解揭秘!
电容和电感的能量互相传递周期为谐振频率,两个主开关管实现了零电压开通,通过软开关技术,还可以降低电源的开关损耗,提高效率。▼LLC分为半桥结构和全桥结构,全桥的标志是4个三极管或MOS管组成,VitaGM100W在二次侧的散热片上只有2个MOS管,无疑是半桥结构的。这个MOS管一般叫做主开关管(区别于PFC开关管),型号...