佛山市森思龙科技取得一种MOS发热水暖主机专利,避免传统发热螺旋...

所述中壳的上表面连接上盖，所述下壳内设有驱动组件，所述上盖的上表面中心处设有螺纹孔，所述中壳的侧边设有出水管和回水管，所述中壳内设有隔板，所述隔板中心处设有通孔，所述隔板的上表面连接有发热主板，所述发热主板上安装有多个发热的MOS管，加热板通电后，MOS管在电流的作用下自身发热，通过热对流...

MOS管常见的几种应用电路

当SDA低电平,D1的GS压差73.3V可以导通,VGA_SDA也是低电平。当SDA高阻抗状态,D1的S引脚有R2上拉到3.3V,MOS管GS截止。由于VGA_SDA由R5上拉到5伏,这时VGA_SDA就是5V。当VGA_SDA低电平,由于D1中有体二极管的存在,S初始被R2上拉,当D极是0的时候,S极会被钳在导通电压约0.2V左右,(关注公众号:...

8种开关电源MOS管的工作损耗计算

MOSFET损耗计算主要包含如下8个部分:PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合,还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。

选择三浦微MOS管SP45R0P6,再无发热损耗之忧

三浦微MOS管SP45R0P6三浦微SP45R0P6是一款45V/130A导通电阻1.25mΩ的SGT技术NMOS管,具备极低RDS(ON)导通电阻,封装为DFN5*6,通过RoHS无铅无卤素认证。SP45R0P6采用SGT技术制造,相较于传统的Trench结构MOS管,具有更低的导通电阻以及开关损耗。采用这种技术的三浦微MOS管不仅在高频开关应用环境下表现卓越,而且能...

向损耗说不,倍仕达、麦多多等多家厂商均选择永源微MOS管

为满足市场需求,永源微潜心研发多年,相继推出多款高性能MOS管供厂商选择。永源微MOS管充电头网在整理历年的拆解案例时,发现永源微MOS已获品硕、倍仕达、麦多多等厂商的多款产品采用,助力设备稳定、高效输出,下文小编将为您详细介绍。VBUS开关管永源微AP30P03DF...

MOS管及其外围电路设计

根据1.1节和1.2节的分析,就可以求得mos管驱动电阻的上限值和下限值,一般来说,mos管驱动电阻的取值范围在5~100欧姆之间,那么在这个范围内如何进一步优化阻值的选取呢?这就要从损耗方面来考虑,当驱动电阻阻值越大时,mos管开通关断时间越长(如图6所示),在开关时刻电压电流交叠时间久越大,造成的开关损耗就越大(如图...

中国电信申请无桥式通信电源电路专利,解决了二极管损耗的技术问题

该电路包括:交流电源、Dual??Zeta电路、输出电路、控制电路,其中,交流电源的正负极分别与Dual??Zeta电路内的第一MOS管和第二MOS管的漏极连接,控制电路的一端与Dual??Zeta电路内的第一MOS管和第二MOS管的栅极连接,且控制电路的另一端与输出电路连接,其中,Dual??Zeta电路由两个Zeta电路组合得到。本申请解决了...

MOS管GS电阻有什么作用?

理想的MOS管驱动波形应是方波,当Cgs达到门槛电压之后,MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中,会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的典型标志,所以导致开通损耗很大。由此可见,米勒效应是一个对电路不利的却又客观存在的现象,在设计电路时需要加以考虑。

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

跟BJT或者MOS管比起来，IGBT的优势就是能提供比标准双极型晶体管更大的功率增益，而且工作电压更高，MOS管的输入损耗更低。所以呢，它在直流电压600V及以上的变流系统里用得特别广泛，像交流电机、变频器、开关电源、照明电路还有牵引传动这些地方都在用。IGBT跟MOSFET比起来，能在更高的电压下一直工作，而且得同时...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。