8种开关电源MOS管的工作损耗计算
指在MOSFET关断过程中逐渐上升的漏源电压VDS(on_off)(t)与逐渐下降的漏源电流IDS(on_off)(t)的交叉重叠部分造成的损耗。关断过程损耗计算:如上图所示,此部分损耗计算原理及方法跟Poff_on类似。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压VDS(off_beginning)、关断时刻前的负载电流IDS(o...
R课堂|SiCMOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
MOSFET导通期间的导通损耗可以用下面的公式(3)来计算。表2.各种波形形状的线性近似法导通损耗计算公式MOSFET关断时的功率损耗在图2中位于TOFF区间,由于MOSFET关断时的ID足够小,因此将功率损耗视为零。总损耗如公式(4)所示,MOSFET开关工作时的总功率损耗为此前计算出的开关损耗和导通损耗之和。需要注意的是,...
MOS 管的死区损耗计算
死区F---tDr:下管关断,上管还没开启,下管体二极管续流,电流接近最小值Io-ΔI/2,由于死区时间很短,工程上计算可以近似为死区F的电流恒定,以方便计算。死区F对应的功耗为:工程上快速估算时,也会用把两个死区的电流平均化,近似用Io替代,一个完整的开关周期的死区损耗如下:...
为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?
当mos管关断时,R4电阻上的电压被限制在0.7V,一旦超过0.7V,电流就会通过二极管,然后与R1串联进行放电,这样驱动电阻就能减小,从而可以让mos管快速关断,进而减少关断损失。这儿有个问题:要是芯片驱动能力不够咋弄?答案就是:我们可以通过增加PNP三极管来实现。当mos管开通时,还是让芯片直接驱动,但关断时可以通过三极...
电源设计MOS管驱动电路
(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。(5)根据情况施加隔离。下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。1、电源IC直接驱动MOSFET
MOS管驱动电流估算
当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试MOS管的过冲波形(www.e993.com)2024年9月9日。在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算。下面讲讲MOS管开通过程开始给MOS管Cgs充电,当电压升到5V时,Id流过一定的电流。继续充...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
如果把开关电源的频率无限提升,会发生什么?
可以看到,开关管每开通一次,开关管DS的电压(Vds)和流过开关管的电流(Id)会存在交叠时间,从而造成开通损耗,关断亦然。假设每次开关管每开关一次产生的能量损耗是一定的,记为Esw,那么开关管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关...
干货| 图解PCB布板与EMC的关系
2.40M-100M以内,一般是MOS管开通关断引起,有时后为了现场不好直接判断是开通还是关断,可针对性整改观测结果去验证(当然这都得花钱,后续会讲解如何用示波器去判断,这可是密招)。3100M以上多为二极管引起,整改二极管吸收电容,大功率的有的可能是同步整流,更改MOS管吸收环路,记住有时候调整C时还得配合R整改。
MOS管损耗的8个组成部分
关断过程损耗。指在MOSFET关断过程中逐渐上升的漏源电压VDS(on_off)(t)与逐渐下降的漏源电流IDS(on_off)(t)的交叉重叠部分造成的损耗。关断过程损耗计算如上图所示,此部分损耗计算原理及方法跟Poff_on类似。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压VDS(off_beginning)、关断时刻前的负载电流...