8种开关电源MOS管的工作损耗计算
计算IDS(on)rms时使用的时期仅是导通时间Ton,而不是整个工作周期Ts;RDS(on)会随IDS(on)(t)值和器件结点温度不同而有所不同,此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的RDS(on)值(即乘以规格书提供的一个温度系数K)。2、截止损耗Poff截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会容易烧坏?
三极管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N沟道和P沟道的,三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E,而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。本文引用地址:对于MOS管,我们在电路设计中都会遇到,那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢?MOS管开关电路MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见...
吃透MOS管,看这篇就够了
2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...
MOS管烧了,可能是这些原因
通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个MOS管均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允许一个MOS管在另一个MOS管打开之前关闭。没有续流电流路径当通过任何电感负载(例如特斯拉线圈)切换电流时,电流关闭时会产生反电动势。在两个开关设备都没有承载负载电流时,必须为此电流提供续流路径。该电流通...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时,所需的电流值,公式如下:**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不...
R课堂|SiCMOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
SiCMOSFET通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法通过在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割,可以计算出功率损耗(www.e993.com)2024年9月9日。咨询或购买产品扫描二维码填写相关信息将由工作人员与您联系导通和关断区间的开关损耗首先,计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是为了“灌满”寄生电容需要时间,就会产生上升沿变缓,对开关频率形成重大威胁直至不能工作。解释8:如何工作在放大区Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道...
电源设计MOS管驱动电路
3、驱动电路加速MOS管关断时间图3加速MOS关断关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如图3所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg...
低功耗、高集成,上海贝岭BLS65R165 N型MOS管全方位解析
上海贝岭的BLS65R165是一款N型MOSFET管,最大漏极-源极电压为700V,漏极电流为24A,导通电阻为135mΩ。具备快速开关的特性,通过100%电子雪崩测试确保高电压条件下稳定性,以及改进的dv/dt性能,可提升电压变化下的系统适应性。BLS65R165具有多种封装选择,可满足不同应用需求,为实际应用提供更大的设计灵活性。
开关电源电路设计的10个经验
以我们常用的BUCK电路为例,如下图:控制IC的地一般是与输入电源的地共地的,而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管,所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极,而需要额外的驱动电路或驱动IC,比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。