开关功率晶体管的选择和正确操作
如果驱动下晶体管的输入=栅极,则上晶体管(JFET)的源极将被拉至零,因此栅极和源极之间的电压变为零。上晶体管的栅极-源极电容由下晶体管极低(毫欧)的Rdson放电。如果下晶体管关闭,上晶体管的交流源电流会快速对节点下漏极-上源极处的电容充电,直到此节点处的电压达到上晶体管的夹断电压,从而...
美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
她,读博七年,成果终登Nature Materials!
有机混合离子-电子导体,主要是π-共轭聚合物,可同时传导电子与离子,常用作有机电化学晶体管(OECTs)的沟道材料,应用于生物电子和神经形态计算领域。与仅依靠电场调制电流的传统有机场效应晶体管不同,OECTs通过离子的体积掺杂调节沟道的电子导电性来切换设备状态。OECT的性能指标主要由体积电容和电子迁移率的乘积μC*...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
N型碳化硅外延晶片是在生长外延层的过程中使用氮(N)元素进行掺杂形成,氮与硅结合后多出一个自由电子,为其导电性的主要来源;P型碳化硅外延晶片是在生长外延层的过程中使用铝(Al)元素进行掺杂形成,铝和碳结合后,会缺失一个电子,形成空穴,而空穴吸引束缚电子移动使得P型碳化硅外延晶片具有导电性;PN多层碳化硅...
...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
由于延伸区域的掺杂是局部性的,因此通道可以保持未掺杂的状态,这也是N型和P型器件均能兼容互补金属氧化物半导体(CMOS,ComplementaryMetalOxideSemiconductor)阈值电压的关键所在(www.e993.com)2024年9月11日。此外,量化场效应晶体管通道中的载流子密度和迁移率,对于理解和优化器件的性能指标也是至关重要。然而,由于此前的器件结构普遍...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
在理想的器件中,扩散长度可以直接由掺杂浓度、基层宽度和所得放大率计算。然而这里测量的放大并不代表晶体管本身的固有放大,而是代表器件作为电路的固有放大。放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,...
...超高探测率和光-暗电流比的增强型β-Ga2O3 MOSFET日盲光电晶体管
图1.(a)增强型β-Ga2O3MOSFET剖面示意图,(b)掺杂β-Ga2O3薄膜的2DAFM图像。增强型β-Ga2O3MOSFET日盲光电探测器的栅控光电响应特性对数以及线性形式的β-Ga2O3MOSFET的传输特性曲线如图2(a)所示。漏-源电压控制在20V。这个晶体管处于常关状态,由线形图可推算出阈值电压为7V。增强型β-Ga2O3MOSFET...
...高迁移率发射有机半导体中捕获三重态激子以提高发光晶体管的效率
通过将高发射客体结合到DPA主体系统中,光致发光效率以及激子利用效率的明显增加导致OLETs的外部量子效率明显提高,与未掺杂的器件相比提高了7.2倍。此外,通过用受控的能量转移过程调节掺杂浓度,也可以实现来自OLETs的良好可调谐的多色电致发光,特别是CIE为(0.31,0.35)的白光发射。这项工作为集成高迁移率有机半导体中的...
功率晶体管的历史和新兴设计
功率双极晶体管架构(图1左侧)与信号晶体管不同,它需要支持高电压和控制功率应用中所需的高电流。功率晶体管需要垂直结构,其中一个高电流端子(集电极)位于芯片底部,另一个高电压端子(发射极)在顶部。基极端子必须与发射极交叉,由于发射极拥挤效应,通态电流集中在发射极边缘。需要具有低掺杂浓度的厚漂移区来支持高电压...