哈工大Matter:极化增强的固溶体薄膜

理论计算的结果表明,相较于BiFeO3薄膜,固溶体薄膜中Bi6s孤对电子投影态密度向右移动了0.57eV,且和O之间的电荷密度变大。这些表明固溶体薄膜Bi和O的共价性得到了显著提升。由于电荷会从O转移到Bi,Bi-O共价性的提高将会增强Ti/Fe和O离子的轨道杂化,进而诱导固溶体薄膜表现出比BiFeO3薄膜和BaTiO3薄膜更大的离子位...

神经网络替代密度泛函理论!清华研究组发布通用材料模型 DeepH...

为了评估DeepH通用材料模型预测材料性质的准确性,该研究在计算示例时,分别使用了基于密度泛函理论(DFT)计算和DeepH预测的DFT哈密顿量,然后将这两种方法得到的计算结果进行了比较。结果表明,DeepH预测的结果与DFT计算的结果非常接近,证明了DeepH在计算材料性质方面的出色预测精度。用于研究特定材料的...

2.0松石圆珠重量查询:克重表与计算方法

松石晶体结构呈六方晶系,晶胞中的原子排列紧密,而且晶胞中填充的原子较少,因此松石的密度较小。根据资料,2.0松石原矿圆珠的密度大约在2.4~2.9g/cm3之间。这一范围的密度值是根据不同的松石矿石样本进行实测得出的。虽然密度的具体数值可能存在一些差异,但是可以确定的是2.0松石原矿圆珠的密度远远小于一般金属材料,如...

西安电子科技大学周益春和廖敏团队: 突破HfO??基铁电畴动力学...

然而,第一性原理计算和超高分辨率TEM实验观察均发现HfO2铁电正交相中存在特殊的“隔离带”结构[1](如图1所示),即极性层被隔离带交替地隔开,且隔离带隔绝了相邻晶胞中的偶极相互作用,其电偶极子可在单个晶胞内稳定并可独立翻转,畴壁厚度几乎为零。为了设计铁电存储器还必须建立原子尺度“隔离带”与宏观电学性能之间...

谢灏源 | “算”出广阔天地

但在研究过程中,谢灏源及其团队发现,严格的密度泛函理论(DFT)难以在纳米结构系统(如双钙钛矿)中实现,必须从方法上进行创新。这也令他们严阵以待。“我们运用第一性原理计算的方法(平面波赝势方法),来解决各种实际问题。”他进一步解释起来,这里面包括电子结构的优化(晶胞参数、原子生标),电子态密度、光学性质计算(...

未来国防拼什么?6大前沿新材料关键技术纺织不缺席

这种触觉隐形斗篷由超材料聚合物制成,具有特殊设计的次微米精度的晶体结构(www.e993.com)2024年11月10日。晶体由针尖相接触的针状锥组成,接触点的大小需精确计算,以满足所需的机械性能。利用这种超材料制造的隐形斗篷可以屏蔽仪器或人体的触觉,如用隐形斗篷覆盖住放在桌面上的一个突出物体,虽然可见突出物,但用手抚摸时无法感到物体突出,就像抚摸平整...

盘点:国防领域6大前沿新材料和关键技术

这种触觉隐形斗篷由超材料聚合物制成,具有特殊设计的次微米精度的晶体结构。晶体由针尖相接触的针状锥组成,接触点的大小需精确计算,以满足所需的机械性能。利用这种超材料制造的隐形斗篷可以屏蔽仪器或人体的触觉,如用隐形斗篷覆盖住放在桌面上的一个突出物体,虽然可见突出物,但用手抚摸时无法感到物体突出,就像抚摸平整...

【纯计算】密度泛函理论计算ZnS稳定的单原子用于高效水电解!

如图6a所示,在电流密度为10mAcm??2的条件下,Pt@ZnS和Sn@ZnS分别具有1.463和1.538V的较低起始电位。因此,Pt@ZnS和Sn@ZnS具有比IrO2更高的OER催化性能。为了研究M@ZnS的催化性能与ZnS载体上金属负载量之间的相关性,作者构建了锚定在ZnS载体的1、2、3和4个Sn原子的结构。如图6b所示,当Sn原子增加时,Sn@...

英特尔公司称2030年芯片晶体管密度将达到现有10倍

基辛格指出，目前的芯片最多有约1000亿晶体管，而未来SoP技术发展之后，到2030年，芯片的密度将提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。为实现这一目标，英特尔将会在2024年量产的20A工艺上放弃鳍式晶体管（FinFET）技术，转向带状晶体管（RibbonFET）及PowerVia等下一代技术。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输...

实现下一代“存内计算”的关键:铁电记忆体的挑战与未来机会

此外,钙钛矿薄膜的铁电性(ferroelectricity)在厚度低于某个临界值后即会急遽劣化,第一原理计算预估6个单晶格(unitcell)为钛矿铁电材料之临界值[3],也就是厚度微缩有其限制,这使得记忆体尺寸无法缩小,导致记忆体密度无法有效提高,因此以PZT为主的铁电记忆体仅在半导体记忆体市场占有极小的比例。