MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
MOS管G极与S极之间的电阻作用
在GS之间并联一个电阻(阻值约为几K到几十K),可以有效保障MOS管正常工作。首先,门极悬空时DS之间电压不会导致MOS管导通损坏,同时在没有驱动时能将MOS管的门极钳在低位,不会误动作,能可靠通断。
干货| MOS管防护电路解析
此电压会使很薄的栅源氧化层击穿,同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿,所以要在MOS管栅源极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅源极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷,不让电荷积累,实测单独焊接该下拉电阻(R516)还是不足以快速释放g...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA(www.e993.com)2024年9月20日。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
一文搞懂IGBT
1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...
MOS管G极串联电阻如何抑制谐振?
MOS管G极经常串联一个小电阻,说是可以抑制振荡,啥原理呢?这个电阻阻值怎么取呢?电源上面加上磁珠,结果纹波变大了,只能换0Ω电阻来解决吗?有没有其它的解决方法?这几个问题,如果你明白了LC串联谐振的分析方法,那么自然都不在话下了。LC串联谐振电路...
MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就“歇菜”?
于各位攻城狮而言,MOS管算不上陌生,遇到电源设计、或者驱动方面的电路,难免会用到它。MOS管有很多种类,也有很多作用。其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
拆解报告:一加SUPERVOOC 100W超级闪充移动电源
同步升降压开关管特写,来自AOS万国半导体,型号AON6576,NMOS,耐压30V,导阻3.9mΩ,采用DFN5*6封装。万国半导体AON6576资料信息。3mΩ取样电阻用于电池端电流采样。输入滤波电容来自绿宝石,为CS系列贴片固态电容,规格为220uF25V。输出滤波固态电容规格相同。USB-C接口控制器采用智融科技SW2505H,是一款集成...