拆解报告:品胜65W 2C1A氮化镓快充充电器

芯片内部集成超低导阻MOS管,开关频率支持100kHz~1MHz可调,支持99.5%占空比,集成线损补偿功能,并且具备输出过流保护,输出短路保护,输出过压保护以及过热保护功能。两颗4.7μH合金电感用于两路输出降压。输出滤波电容来自瑞隆,规格为100μF25V。另一颗滤波电容规格相同。USB-C1口协议芯片采用英集芯IP2723T,该芯片已...

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时,所需的电流值,公式如下:**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不...

MOS管及其外围电路设计

其中Qg为栅极充电电荷,可以在datasheet中查到,ΔVgs为驱动电压的摆幅,fs为mos的开关频率,在实际选择驱动芯片时,应选择驱动芯片所能提供的功率大于式(8)所计算出来的功率。同时还要考虑环境温度的影响,因为大多数驱动芯片所能提供的功率都是随着环温的升高而降额的,如图8所示。图8驱动允许的损耗功率随着环温升高...

吃透MOS管,看这篇就够了

Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...

新能源汽车快充行业深度报告:电动汽车20时代必争之地

另外,动力系统在快充平台下电流短时间内的跳动,还有SiC、IGBT这些开关半导体的快速移动,都会造成更强的辐射和电磁干扰。2.2.9TVS:增强系统防静电、抗浪涌电流的能力。在BMS的充放电回路里,MOS管开关的瞬间,电流会突然变化,这样就产生了漏极尖峰电压,这会让MOS管坏掉的。功率管开关的速度要是越快呢,产生的过...

MOS管烧了,可能是这些原因

如果发生这种情况,每次发生开关转换时,电源去耦电容都会通过两个器件快速放电,这会导致通过两个开关设备的电流脉冲非常短但非常强(www.e993.com)2024年11月4日。通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个MOS管均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允许一个MOS管在另一个MOS管打开之前关闭。

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

消亮点电容:设置在视放电路中,用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。启动电容:串接在单相电动机的副绕组上,为电动机提供启动移相交流电压,在电动机正常运转后与副绕组断开。3去耦电容电容的阻抗为1/(2π*f*C),频率越高,阻抗应该越小。在结构上,小容量的电容器在高的频率处,而大容量的电容器则在较低...

iPhone16正式发售,多款移动电源单芯片助力充电宝产品升级迭代

水芯M12229是一款单路快充移动电源SOC,集成高效数字同步开关Buck-Boost转换器,开关频率最高1MHz;最大输入/输出功率35W,内置快充协议和SOC算法,支持线损补偿,支持CC/CV电源模式。水芯M12229支持2串电芯,电芯规格支持4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V;芯片支持充电电流自适应,最大充电电流3A,集成电池充...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级,这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过...

开关电源电路设计的10个经验

首先,单独给控制IC供电,看看IC工作是否正常,主要看频率及MOS管的驱动信号,如果单独供电,IC都工作不正常的话,你如果直接上电后果是什么不用说了吧?IC单独供电正常后,我一般都是找一个带限流功能的直流输出电源给自己设计的电源供电,然后空载上电,看输出电压是否正常,由于直流输出电源带限流功能,所以即使存在问题也是...