8种开关电源MOS管的工作损耗计算
根据经验,在实际应用中规格书目中之ID会比实际最大工作电流大数倍,这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。3、驱动要求MOSFEF的驱动要求由其栅极总充电电量(Qg)参数决定。在满足其它参数要...
MOS管及其外围电路设计
注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三...
吃透MOS管,看这篇就够了
现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感...
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管
威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS??Ⅱ技术制造的增强型NMOS,采用PDFN5x6封装,耐压为100V,拥有3.8mΩ超低导阻,常用于同步整流电路。这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。1、拆解报告:MI小米新款67W快充充电器MDY-12-EF2、小米67W小布丁氮化镓快充拆解,刷新功率密度新高度3、拆解报告:...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和...
常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做电源开关的电路(www.e993.com)2024年9月17日。1、NMOS低侧电源开关低侧驱动,最简单最实用,但不一定适用所有的电路,会对部分电路的工作有影响由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
该电路使用N沟道MOS管将低电压逻辑电平转换为高电压逻辑电平,也可以使用电阻分压器构建简单的逻辑电平转换器,但会导致电压损失。该电路还使用了两个附加组件:R1和R2,为上拉电阻,数量比较少,也算一种解决方案。5V-3.3V双向逻辑电平转换器电路如下所示:...
开关电源电路设计的10个经验
借用一个图,这个图是过欠压、过流保护的电路,分别通过两个光耦控制驱动信号,正常情况下光耦导通,MOS管导通,出现异常后光耦切断,MOS管断开,这个图至少有两个明显的错误,大家看看在哪里。(R6R7为1k,R25R26为10k)反馈电路中两个电阻的选择依据以384X电路为例,常用的光藕隔离反馈电路接法有两种,一种是将2脚接地...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
9、具有比BJT和MOS管更高的功率增益。10、具有比BJT更高的开关速度。11、可以使用低控制电压切换高电流电平。12、双极性质,增强了传导性。13、安全可靠。缺点:1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。