8种开关电源MOS管的工作损耗计算
根据经验,在实际应用中规格书目中之ID会比实际最大工作电流大数倍,这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。3、驱动要求MOSFEF的驱动要求由其栅极总充电电量(Qg)参数决定。在满足其它参数要...
汤诚携手智融推出充放电管理芯片SW7201+MOS管电动工具应用方案
总之,MOS管不仅优化了电动工具的功率输出和运行效率,还确保了平稳的操作和降低能耗。特性38V/110A,RDS(ON)=3.8mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS(ON)=5.8mΩ(Typ.)@VGS=4.5V采用Ruichips先进的TrenchTM技术超低导通电阻100%雪崩测试无铅和绿色器件(符合RoHS标准)充放电管理芯片SW7201和M...
MOS管及其外围电路设计
驱动电阻上限值的计算原则为:防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。当mos管关断时,其DS之间的电压从0上升到Vds(off),因此有很大的dV/dt,根据公式:i=CdV/dt,该dV/dt会在Cgd上产生较大的电流igd,如图3所示。图3mos关断时的对应电流该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个...
吃透MOS管,看这篇就够了
6、在开关电源电路中;大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点;1)、输入阻抗高,驱动功率小:由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高,对激励信号不会产生压降,有电压就可以驱动,所以驱动功率极...
差分时钟驱动器和终端
如果负载电阻偏离50Ω,IL图(黑线)的斜率将增加或减小。但是,您可以理解,即使在这种情况下,输出电压的变化量也很小。从这个特征可以说LV-PECL是一种电压输出型驱动器。请注意,最近爱普生的LV-PECL驱动器使用MOS晶体管而不是双极晶体管。在这种情况下,实现了与图8中略有不同的独特电路配置,但这里将省略其说明。
MOS管烧了,可能是这些原因
栅极驱动不足(不完全开启)MOS管只能切换大量功率,因为它们被设计为在开启时消耗最少的功率(www.e993.com)2024年9月19日。工程师应该确保MOS管硬开启,以最大限度地减少传导期间的耗散。如果MOS管未完全开启,则设备在传导过程中将具有高电阻,并且会以热量的形式消耗大量功率,10到15伏之间的栅极电压可确保大多数MOS管完全开启。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路需考虑三极管器件的0.7V压降)或者专用的驱动芯片进行驱动**。
矽源特ChipSourceTek-TC118AH是一颗单通道内置功率MOS全桥驱动器
矽源特ChipSourceTek-TC118AH是一颗单通道内置功率MOS全桥驱动器,具有驱动前进、后退、停止及刹车功能,并内置迟滞热效应过热保护功能。该芯片的最大连续输出电流可达1.8A,峰值2.5A,无需外围大滤波电容,只需小贴片电容。矽源特ChipSourceTek-TC118AH采用DIP-8、SOP-8封装形式,低导通电阻(0.5Ω/1000mA),...
功率半导体行业专题:铸全球竞争护城河,产品格局看“底部”机遇
IGBT模块从供给侧格局看,经过21年缺货替代国产份额提升,2022年海外大厂恢复供应后份额依然继续提升;我们认为,在全球功率半导体不缺货的市场环境下,终端客户不需要引入太多国产供应链企业,在2021年已经切入品牌终端客户的厂商具备极强的先发优势,国产IGBT以及SiCMOS在车规主驱应用中的份额有望逐渐提升,供给侧格局持续优...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSF...