华为DriveONE三合一电驱动电机控制器拆解
它兼容200V至1700VIGBT/SiC,功率范围超过125kW,工作频率超过40kHz,提供5.0V和3.3V耐受MCU接口,工作温度范围为-40°C至125°C,封装类型为32引脚宽体SOIC。在电机控制器主控板中,预驱动IC(Pre-driverIntegratedCircuit)是一个重要的组件,它位于主控MCU(微控制器单元)和功率器件(如IGBTs或MOSFETs)之间。预驱...
开关功率晶体管的选择和正确操作
10.功耗只能近似计算,开机和关机比较复杂。方法:关机后直接测量外壳温度。然后安装一个TO-220功率电阻器代替具有相同绝缘的晶体管。使用电源,将电阻器加热到与晶体管相同的温度;所需的功率与晶体管的功耗相同。12.反向二极管实际上是寄生NPN的集电极-基极二极管,速度非常慢;有些MOSFET的速度更快。在开关...
技术向 | 基于功率系统的SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试及计算
t0~t2阶段,驱动从器件栅极电容抽取电荷,此时的若不考虑栅极回路杂散电感的影响,可以看作一阶RC串联放电电路,Vgs从开通电压下降到米勒平台的时间tf1计算公式如下,(1)(2)其中Vcc为驱动的开通电压,Vss为驱动的关断电压,数值为负,Rint为器件内部栅极电阻,Rg为外部栅极电阻,Cgs为栅极电容,Qg为器件对应Vcc和Vss之间...
IGBT/MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处(例如外部栅极电阻器上)损失的功率。在以下示例中,我们将讨论使用AvagoACPL-332J(2.5nApeak智能栅极驱动器)的IGBT栅极驱动器设计。本设计指南也适用于MOSF...
长城汽车自研自产 IGBT 功率模块落地,在哈弗枭龙 MAX 完成装车
IT之家注:绝缘栅双极晶体管(英语:InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT),是半导体器件的一种,主要用于电动车辆、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制。传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻...
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南
2.1自举栅极驱动技术本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中,功率型MOSFET和IGBT对自举式栅极驱动电路的要求(www.e993.com)2024年7月27日。当输入电平不允许高端N沟道功率型MOSFET或IGBT使用直接式栅极驱动电路时,我们就可以考虑自举式栅极驱动技术。这种方法被用作栅极驱动和伴发偏置电路,两者都以主开关器件的源极作为基准。
一文搞懂IGBT
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...
干货| 居然能把功率MOS剖析成这样,很难得的资料!
驱动损耗:功率MOSFET的选择原则与步骤(1):选择原则(A):根据电源规格,合理选择MOSFET器件(见下表):(B):选择时,如工作电流较大,则在相同的器件额定参数下,--应尽可能选择正向导通电阻小的MOSFET;--应尽可能选择结电容小的MOSFET。(2):选择步骤(A):根据电源规格,计算所选变换器中MOSFET的稳态参数...
半导体专题篇十五:功率半导体
MOSFET是一种基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管。它具有高输入电阻、低开关损耗、高开关速度等优点,因此在高频率、低功率应用中得到了广泛应用。在功率电子领域,MOSFET通常用于低电压、高频率的应用,例如电源适配器、直流-直流变换器等。(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)...
全浸式蒸发冷却IGBT电热耦合模型研究
将式(8)和式(9)代入式(10)计算得到α[14]。(10)电压、电流和门极驱动电阻校正函数XV、XI、XR分别为[14](11)(12)(13)(14)(15)(16)式中,rV、rI、rR分别为电压比、电流比、门极驱动电阻比;σ0、σ为电压校正系数,κ0、κ为电流校正系数,...