美国升级对量子计算/半导体设备/GAAFET出口管制
1、量子计算相关:随着具有更多量子位的更大型的量子计算机的开发,控制电路必须在低温恒温器内移动以减少这些延迟。目前,传统CMOS器件的一般温度下限为-40°C(233K)。CMOS设计目前正在开发中,以适用于在4K或以下温度下工作,用于量子计算。出于这些原因,BIS在CCL中添加了3A901.a,以控制3A001.a.2中未指定的CMOS集...
朗特智能申请一种三轴占空比的计算方法、装置、单片机及程序产品...
方法包括:获取预先构建的目标表格,目标表格用于反映不同的三轴变量与不同的电压角度之间的数值对应关系;获取当前的电压值和电压角度值,根据电压角度值和目标表格确定三轴变量;根据电压值和三轴变量计算三轴占空比。本发明预先构建了目标表格来存储不同的三轴变量与不同的电压角度之间的数值对应关系。利用电压值和电压角...
幽灵中微子与耀斑活动有什么关系?幽灵粒子如何监测?
通过持续深入的监测,科学家们能够计算出与耀变体有关的伽马射线的每周通量,并同时绘制出这种高能活动的光变曲线。研究人员随后提出了"耀斑占空比"[4]概念,它可以显示出耀变体处于耀斑状态的时间长短,以及这种耀斑状态在光曲线上所占的能量大小。“我们发现,我们的样本中耀斑占空比和能量分数都较低的耀变体数量比...
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
如果VIN是变化的,需要在VIN(MAX)和VIN(MIN)下分别计算开关MOSFET的功率耗散。MOSFET功率耗散的最坏情况可能会出现在最低或最高输入电压下。该耗散功率是两种因素之和:在VIN(MIN)时达到最高的阻性耗散(占空比较高),以及在VIN(MAX)时达到最高的开关损耗(由于VIN??项的缘故)。一个好的选择应该在VIN的两种极端情...
详解开关电源占空比选择与比较
把占空比:待入上式就可以求得:Upa=(Ui+Upa)×D………(4)该式就是我们用来选择和计算占空比D的关系式。由图中可以看出,(4)式括弧中的值(Ui+Upa)正好就是电源开关管两端的电压,电源开关管的耐压有限,因此,开关电源的最大占空比要受到电源开关管的最高耐压BVm值的限制。
如何构建脉宽调制信号发生器?看这一文
现在计算特定视在电压所需的占空比:视在电压所需的占空比例如,在低电平时间为13ms、高电平时间为8ms的脉宽调制周期中,占空比为:8ms/(8ms+13ms)=38%如果脉冲电压(Vmax)为5V,则视在电压为:(38%/100%)*5V=1.9V...
普源示波器占空比
除了测量和显示占空比外,普源示波器还可以通过计算功能来帮助用户分析信号的占空比。用户可以通过设置测量参数,让示波器自动计算信号的占空比,并将结果显示在屏幕上。这种功能非常适用于需要大量信号分析和比较的场合,可以提高工作效率,减少人为误差。在实际应用中,普源示波器占空比具有广泛的用途。首先,它可以帮助工程师和技...
还搞不懂缓冲电路?看这一文,工作原理+作用+电路设计+使用方法
2、如何计算RC缓冲器电阻的功率损耗在下面的电路中,Rsn和Csn组成了RC缓冲器网络。当Q1导通时,缓冲电容上的电荷会通过Rsn放电。到Q1关断时,电容Csn将通过Rsn充电。因此,在单个开关周期内,电流将两次通过电阻。RC缓冲器电流放电充电用于分析的重要波形,电阻上的总RMS功耗取决于VRMS1和VRMS2。
干货| 如何选择 DCDC 降压型开关电源的电感
在图3中,更新了带有开关频率和占空比的示意图。我正在使用1μF作为电容C1的默认值。另外,请注意我已经用电流源ILOAD替换了负载电阻。这确保了负载电流无论输出电压如何都将保持为70mA。我们这样计算电感:这是更新后的原理图:Buck稳压器功率级仿真...
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南
TON=25??s(在fs=20KHz时占空比=50%)ILKDIODE=10nA如果自举电容器在高端开关处于开启状态时,最大允许的电压降是1.0V,最小电容值通过等式3计算。自举电容计算如下:外部二极管导致的电压降大约为0.7V。假设电容充电时间等于高端导通时间(占空比50%)。根据不同的自举电容值,...