“告别迷茫:晶振负载电容CL的计算详解及实例分析”
计算公式为:匹配电容=1/(2πf×Δf),其中f为晶振的频率,Δf为频率变化范围??。??旁路电容的计算??:在振荡器电路中,通过在晶振两端并联一个电容,可以滤除信号中的杂波和干扰,提高振荡器的稳定性和精度。旁路电容的计算公式为:C=(2πfL)/(Qf),其中C表示旁路电容的值,f为晶振的频率,L为...
干货| 优化电源效率,MOSFET该如何选?
基于数学工具选择MOSFET在本文的示例中,我们采用了总内阻为100mΩ的10个MOSFET,根据上述模型计算在不同上/下管MOSFET比率下的效率曲线。例如,1:9的比率意味着有1个HS-FET(高RDS(ON)、低电容)和9个LS-FET(低RDS(ON)、低电容)。通过比较曲线,我们可以得出结论,12V至3.3V、10A应用的MOSFET最佳...
晶体振荡器电路设计的7个关键因素|基频|电容|阻抗|放大器_网易订阅
要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素#3中描述),请使用以下公式:在这个等式中,LC1和LC2表示负载电容。Cs是电路杂散电容(通常在3到5pF之间)。3.并联电路并联谐振振荡器电路由晶体制成,该晶体设计用于在特定负载电容下工作。这导致晶体振荡器的工作频率高于串联谐振频率,但低于真正的并联谐振...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
高效的电驱控制技术除了需要功能强大的功率器件进行逆变之外,还需匹配DC-Link电容器进行直流支撑以及吸收电容进行电压吸收。②车载充电器和充电桩:通常包括整流电路和生成充电所需直流电压的DC-DC功率变化器。在此过程中,薄膜电容的应用场景包括EMI滤波电容、DC-Link电容、输出滤波电容、谐振电容、功率因数校正(PFC)等。
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
一是SiC功率半导体将加速替代SiIGBT;二是800V加速电机扁线和油冷化,电驱系统集成度不断提升;三是高压熔断器、直流继电器、薄膜电容和高压连接器等均需升级以适配800V高压平台;而在400V到800V升级过程中,国内零部件份额将逐步提升。■电池端:电池材料和热管理相关企业将受益。首先,电池材料环节需要为锂离子快速...
基础知识之电阻器
额定电压:在规定的周围温度下可以连续施加的直流电压或交流电压(有效值)的最大值(www.e993.com)2024年9月16日。根据额定功率和公称电阻值计算出来。但是,不能超过最高使用电压。通常被称为耐压的就是指这个数值。最高使用电压:根据电阻器规定的、可以施加于电阻器的直流电压或交流电压(有效值)的最大值。
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项
??存在高侧漏极到低侧源极电容器的位置,但未填充,因此添加电容器即可解决问题,而无需重新设计,同时也不会降低栅极驱动电流。本应用手册将此过程拆分为开发故障排除指南、外部电路库、TI驱动器产品特性或布局技术,以应对更大功率系统的易失性。2简要研究大功率电机驱动系统...
元器件科普|如何进行晶体负载电容的调试
如下表格是按照寄生电容3pF进行计算的,比如,负载电容要求是15pF时,推荐选择C1和C2分别为24pF,并联后的值时12pF,再加上板上的寄生电容3pF,这样对于晶体来说就是12pF+3pF=15pF,刚好满足晶体规格书中的要求。以上只是基于理论的计算,具体实际参数的选取还需要考虑一些细节因素,下面进行负载电容调试的介绍。
电子元器件知识:电阻与电容
电容器的计算:2.13多个电容的串联和并联计算公式:C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+...+1/CNC并C=C1+C2+C3+……+CN2.14电容器的好坏测量a;脱离线路时检测:采用万用表R×1k挡,在检测前,先将电解电容的两根引脚相碰,以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时,表针向右偏转一个角度,然后表针缓慢地...
并联电阻与串联电阻如何计算?
并联电阻的计算公式1.电流计算L总=L1+L2+...+Ln,即总电流等于通过各个电阻的电流之和。2.电压计算U总=U1=U2=……=Un并联电路各支路两端的电压相等,且等于总电压。3.电阻值计算1/R总=1/R1+1/R2+1/R3+...+1/Rn,即总电阻的倒数等于各分电阻的倒数之和。对于n个相等...