后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
2022年2月8日 - 电子工程专辑
其电阻率约为10-6Ω-m、热导率约为800Wm-1K-1、杨氏模量高达1000Gpa、通孔深宽比大于25,将其用作三维集成电路的TSV可降低器件温度约15℃、提高系统可靠性约10倍、减小布局布线面积中约80%的保持区域面积(keep-outzoneregion),充分展示了金属性碳纳米管作为三维集成...
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其电阻率约为10-6Ω-m、热导率约为800Wm-1K-1、杨氏模量高达1000Gpa、通孔深宽比大于25,将其用作三维集成电路的TSV可降低器件温度约15℃、提高系统可靠性约10倍、减小布局布线面积中约80%的保持区域面积(keep-outzoneregion),充分展示了金属性碳纳米管作为三维集成...