机构:氮化镓射频器件市场规模2028年有望增至27亿美元

机构:氮化镓射频器件市场规模2028年有望增至27亿美元据研究机构YoleIntelligence统计,2022年全球GaN射频器件市场规模达到了13亿美元,预计到2028年将进一步扩大至27亿美元,复合年增长率为12%。根据该机构统计,电信基础设施将是GaN射频器件的主要应用领域,其次是军事/国防和卫星应用。住友电工(SumitomoElectric)旗下...

日本材料厂商发力,推动氮化镓基板量产

英国调查公司Omdia预测称,到2030年,全球氮化镓固体电路组合元件市场将超过23亿美元,相比2023年增至11倍以上。日本以外的竞争企业也在推进开发,在氮化镓基板领域,中国企业也在崛起。此外,大企业收购新兴企业的动向也在加强。企业合作也在全世界范围内推进,信越化学工业正在与OKI进行合作。日本企业能否提高在世界上的地位...

英诺赛科氮化镓全球出货量领先,以匠心品质与客户共创未来

据权威机构预测，从2024年至2028年，氮化镓市场规模将以惊人的98.5%复合年增长率飙升，市场规模将从32.28亿元跃升至501.42亿元。英诺赛科紧跟市场趋势，积极布局消费电子、可再生能源、新能源汽车和数据中心等高增长细分市场，凭借其全面的氮化镓解决方案和具有竞争力的价格优势，不断巩固和扩大市场地位。创新驱动发展，...

氮化镓又迎技术突破!业界预计市场规模将达数十亿美元

业界预计市场规模将达数十亿美元德国芯片巨头英飞凌9月12日向第一财经记者表示,该公司已经成功开发出300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌预测,到2030年末,GaN市场规模将达到数十亿美元。这是氮化镓半导体技术的最新突破。GaN是芯片制造中硅的替代品,GaN芯片因其效率、速度、重量轻以及在高温和高压条件下工作...

彰显长期价值:氮化镓市场前景大好,行业龙头英诺赛科增长势头强劲

在董事长骆薇薇的带领下,英诺赛科汇聚了397名研发精英共同构建了覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造等领域的研发团队。公司不仅是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业,同时也是唯一提供全电压谱系氮化镓半导体产品的IDM公司,彰显了其在技术创新与市场开拓上的领先地位。

2024年中国氮化镓功率半导体行业市场研究报告-华经产业研究院

氮化镓功率半导体产品具有高频、低损耗和性价比高等特点,被广泛采纳于智能设备快充、车规级充电应用和数据中心等多种应用场景(www.e993.com)2024年12月19日。2023年,全球氮化镓功率半导体市场规模为17.6亿元。未来,氮化镓凭借其在效率、功率密度和可靠性方面的优越属性,有望大大提升功率器件行业的水平,并促进整个产业链的进步。

全球氮化镓龙头英诺赛科有望加速成长

根据招股书信息,截至2023年12月31日,英诺赛科氮化镓分立器件累计出货量超过5亿颗,成为全球氮化镓出货量最大企业,市占率达42.4%。若按收入计,2023年公司在全球氮化镓功率器件半导体市场的份额为33.7%,也位居第一。目前,公司已经成为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系...

全球与中国自支撑氮化镓衬底晶片市场趋势洞察及竞争格局2024

全球市场自支撑氮化镓衬底晶片主要应用,其中半导体预计2030年达到百万美元,未来六年CAGR为%全球市场自支撑氮化镓衬底晶片主要厂商有MitsubishiChemical、SumitomoElectricIndustries、Hitachi、ShinEtsuChemical和苏州纳维科技等,按收入计,2023年前五大厂商共占有全球大约的市场份额。

氮化镓(GaN)在汽车市场的应用分析

传统的硅(Si)器件包括整流器、晶闸管、双极型、X-FETs(如MOSFETs和JFETs)、IGBTs以及模块和IPMs。随着技术的发展,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)开始在功率电子市场中占据越来越重要的地位。●预计到2028年,SiC和GaN将代表功率市场的30%以上,显示出这两种材料的巨大商业机会。

芯趋势丨从快充到数据中心 氮化镓应用加速扩围

(氮化镓功率元件市场规模快速攀升,图源:集邦咨询)技术迭代方面,目前氮化镓的应用多以硅或碳化硅作为衬底、采用氮化镓作为异质外延。AlexLidow告诉记者,氮化镓衬底成本极其高昂,在1000V功率以下的应用市场,采用氮化镓或硅材料作为衬底其性能差别实际并不大;只是在1000-2000V高压领域,采用硅或氮化镓衬底的性能才会有显著差别...