吃透MOS管,看这篇就够了

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,在应用上;驱动电路也比晶体三极管复杂,致使维修人员对电路、故障的分析倍感...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

大功率电阻通常是金属电阻,实际上应该是在金属外面加一个金属(铝材料)散热器,所以可以有10W以上的功率;在电子配套市场上专门卖电阻的市场上可以很容易地看到。电阻在电路中起到限流、分压等作用。通常1/8W电阻已经完全可以满足使用。但是,在作为7段LED中,要考虑到LED的压降和供电电压之差,再考虑LED的最大电流,...

MOS管基础及选型指南

根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。一般主板上使用最多的是增强型MOS管,NMOS最多,一般多用在信号...

整理分类:晶体管的类型分析

功率晶体管GTR是一种双极结型晶体管,可以承受电流和高电压。因此有时也称为功率BJT。其特点是:耐压高、电流大、开关特性好。但其驱动电路复杂,驱动功率大。GTR和双极结型晶体管的原理完全相同。光电晶体管光电晶体管是由三端器件(如双极晶体管或场效应晶体管)组成的光电元件。光在其活性区域被吸收,产生...

半导体材料之战:谁将赢得宽带隙?|氮化镓|碳化硅|逆变器|场效应...

对于硅,这个数字是1450;对于碳化硅,大约是950;而对于氮化镓来说,大约是2000。正是因为氮化镓的数值非同寻常地高,它不仅可应用于电源转换,还可用于微波放大器。氮化镓晶体管可以放大频率高达100千兆赫的信号,比通常认为的硅横向扩散金属氧化物半导体的最高频率(3至4千兆赫)还要高。作为参考,5G的毫米波频率最高为52.6...

必看!IGBT基础知识汇总!

,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点(www.e993.com)2024年11月15日。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSFET...

联创光电贯军标场效应管生产线向大功率产品发展

知情人士表示,联创光电(600363.SH)军品业务的拓展方向是继续做大全资子公司--江西联创特种微电子有限公司,未来拥有的全国唯一一条贯军标的场效应管生产线,将由目前的中小功率的产品提升到大功率产品,并开拓民用市场。据悉,目前联创特种微电子有限公司已经在进行功率MOS场效应管技改项目,投入1234万元,进行功率MOS场...

e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求

●DTMOSVI系列:TK055U60Z1功率场效应管是600VDTMOSVI系列的第一款产品,该系列产品基于东芝最新一代工艺,采用了超级结结构,被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧,性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。

技术文章—MOS管场效应管详解

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场...

干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录

和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应...