国产光刻机65nm节点有望突破!5~10年内研发重点在哪?

智能制造网了解到，极紫外光刻技术(EUVlithography)是一种使用波长为13.5纳米的极紫外光作为光源的下一代光刻技术，广泛应用于半导体制造中，是面向7nm及以下节点的主流光刻技术。东海证券认为，目前国产光刻机整机技术与海外差距较大，5~10年内90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键。智能制造网坚信，只要不断提高...

今年5nm,两年后2nm,EUV光刻机的搅局者,终于改变芯片格局

作为光刻机领域的搅局者,日本佳能公司近日宣布,其研发的纳米压印机FPA-1200NZ2C将在今年正式量产。这款设备不仅可以用于5nm芯片的制造,而且预计在未来还将升级到2nm制程,彻底绕开EUV光刻机方案。佳能公司的这一突破,不仅意味着光刻机市场的竞争将进一步加剧,而且也为全球芯片制造格局带来了新的变数。与传统的EUV光...

光刻机的存在,对我国有着怎样的影响?

DUV光刻机呢，它靠的是深紫外线来工作，这种紫外线的波长是193纳米。简单来说，它就是利用光的折射原理来干活的。而EUV光刻机呢，它用的是极深紫外线，这种紫外线的波长更短，只有13.5纳米。而且，EUV光刻机是靠着光的反射原理来运作的。由于光源波长不一样，EUV光刻机可以做到分辨率更高，这样就能满足更尖...

2天蒸发5300亿,光刻机之王的“现世报”来了

从2019年到现在,在美国的搅和下,阿斯麦先是对华限制出口最顶级的极紫外光刻机,后来直接把7纳米及以上的光刻机都给禁了。到最后干脆脸都不要了,连我们之前买的那些设备的维修跟保养都不给做了!要知道,光刻机这种东西极其精密,如果不定时对它进行维护保养,那基本上就等同于一次性的了,一旦出现任何问题,那就是...

专家解读65纳米光刻机的分辨率 技术瓶颈与多重曝光潜力

该研究指出,对于0.93数值孔径的65纳米光刻机,单次曝光要求的套刻精度为8纳米,而在双重曝光模式下,要求进一步提高到5.6纳米。这意味着,即便是8纳米套刻精度,在双重曝光至40纳米分辨率的需求面前也显得不够。况且,40纳米仅是浸没式光刻机单次曝光的水平。

8nm光刻机突破万民瞩目!与ASML的差距有多大?

虽然是8纳米,但是技术的迭代是非常快的,我们就会有大踏步的迭代(www.e993.com)2024年11月2日。正如航空母舰,辽宁舰出来,很多国家都不看好改装的假航母,结果山东舰、福建舰很快就陆续出来了!这就是中国制造!中国实力!中国的科研!打开网易新闻查看精彩图片现在光刻机8纳米出来之后,相信随后很快7、5、2、0.5纳米都会逐一被攻克!因为我们掌握了...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

中国自己的7nm光刻机,是不是真的造出来了?起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

文|孙永杰日前,工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称“目录”)中显示,中国已攻克氟化氩光刻机,其中该目录中,公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm指标引发了业内的关注。几乎是

国产芯突破5纳米,美芯巨头直接将订单给到2026年,倪光南说对了

也有一些网友对此持谨慎态度。用户"理性派"说："虽然通富微电的成就值得肯定，但我们也要客观看待。毕竟在整个半导体产业链上，中国还有很长的路要走。别忘了光刻机这个卡脖子的问题还没解决呢。"有趣的是，不少网友开始调侃起来。一位名叫"梗王"的用户说："哈哈，通富微电这是要把'MadeinChina'贴到AMD...