8种开关电源MOS管的工作损耗计算
例如FLYBACK中实际电流应是Itotal=Idp1+Ia+Ib(Ia为次级端整流二极管的反向恢复电流感应回初极的电流值--即乘以匝比,Ib为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET开关开通瞬间释放的电流)。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的主要原因之一。4、关断过程损耗关断过程损耗。指在M...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
必须选择Vds比最大输入电压Vmax和最大输入瞬态电压还要高的MOS管,对于通讯系统中用的MOS管,一般选择Vds≥100V。2、栅源电压Vgs稳压管D1是用来保护MOS管Q1的栅极以防止其过压击穿,显然MOS管Q1的栅源电压Vgs必须高于稳压管D1的最大反向击穿电压。一般MOS管的栅源电压Vgs为20V,推荐12V的稳压二极管。其中Pout为...
MOS管基础及选型指南
关注导通电压Vgs(th),一般MOS管都是用单片机进行控制,根据单片机GPIO的电平来选择合适导通阈值的MOS管,并且尽量留有一定的余量,以确保MOS可以正常开关。2、电流值关注ID电流,这个值代表了NMOS管的能流过多大电流,反应带负载的能力,超过这个值,MOS管也会损坏。3、功率损耗功率损耗需要关注以下几个参数,包括热阻...
盘点公牛、华为、小米等知名品牌插座都在用的主控芯片
PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源,并且是原边反馈工作模式,可省去光耦和TL431,无需反馈电路。相关阅读:1、拆解报告:ABB四位USB输出18WPD快充插座aigo爱国者aigo20W1A1C迷你快充插座aigo推出的这款插座具备三...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
值得一提的的是,MOS管饱和导通后,漏源极(DS)之间的压降及损耗很小,保证电源电压几乎无损失地供给负载。下面开始逐步构造电路:1.以MOS管为受控开关P沟道MOS管的阻尼二极管正极端连漏极(D),二极管负极连源极(S),要使MOS不至于无控导通,源极(S)必须接电源Us的正极。
一文搞懂IGBT
MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)(www.e993.com)2024年9月9日。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电...
MOS驱动好不好,波形一看就知道
4、MOS驱动高频振铃描述:可以看出,管子震荡的非常厉害,有很大一部分时间都工作在线性区,损耗非常大。用红外测温仪查看,管子秒秒钟温升几十度,断电稍微慢一点,管子就被热死了。解决手段:这种情况一般都是布板的问题,不用调参数,调了也没用,只能重新画板子。
...抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报
嘉晨智能申请抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报隋代骆驼俑身上出现的老头是古希腊酒神狄俄尼索斯如果把长安平康坊里的青楼取消,唐诗得少一大半唐朝时期中国有多强大?在唐朝文化程度低喝酒容易丢命教授于赓哲:西安到处是古墓,陕西师范大学更被网友称为百墓大刘邦为何定都长安而非洛阳...
干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减。MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个...
如何正确选择MOS管?需要注意哪些细节?
4)选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中...