吃透MOS管,看这篇就够了
MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S~150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。3...
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管
开关频率高,更高效,导阻为8.5m??。这款器件同样采用无铅无卤素工艺,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。1、拆解报告:美富达100WUSBPD桌面快充充电器威兆VS3510AE威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关频率高,导阻为10m??。这款器件100%通过雪...
联想都在用的主控芯片,你还不来看看?
开关电源主控芯片采用安森美NCP13992,高性能电流模式谐振LLC控制器,内部集成高压驱动器,支持最高750KHz工作频率。内置同步整流芯片ONSEMI安森美NCP4306同步整流控制器是安森美NCP4306,驱动安森美同步整流管进行同步整流。支持最高1MHz开关频率。NCP4306支持DCM/CCM/QR反激,还支持LLC半桥同步整流。1、内置4颗氮化镓,...
新增1.3寸TFT彩屏,可玩性更高,酷态科15号超级电能柱Ultra拆解...
升压芯片来自矽力杰,丝印HM,型号SY7302,开关频率为1MHz,内置200mΩ开关管,采用SOT23-6封装。用于检测输出电流的放大器采用3PEAK思瑞浦TP199A2。USB-C2母座小板设有滤波电容和TVS二极管。USB-C2小板背面设有连接排针和TVS二极管,USB-C母座采用过孔焊接固定。USB-A接口采用过孔焊接固定,内部为白色舌片,USB-C...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点(www.e993.com)2024年9月9日。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHZ,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT。四.SiCMOSFET与SiSJ-MOSFET对比1.1静态特性表1:SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件参数上表为SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件的静态参数,可以看出SJ-MOSFETVGS(栅压)大于VTH(...
程华电子:DC-DC 转换器的系统设计
其中Rop和Ron由线性区MOS管的理论可得开关管的开关损耗由式(3-2)得其中Ctot为PMOS和NMOS总的等效寄生电容,并且开关管主要是处于线性区,因而有在忽略静态功耗PQ的情况下,转换器的功率损耗可以近似写为转换效率重写如下由上式可以发现转换器的功耗主要由开关管尺寸、负载电流和开关频率决定,在综合考虑转换...
一文搞懂IGBT
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。(因为MOS管有Rds,如果Ids比较大,就会导致Vds很大)IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统...
工程师手把手教你硬件电路设计
同理,Vo变大,V+变大,Va变大,MOSFET的阻抗变大,经过同样的电流,MOSFET的压差变大,于是抑制Vo变大。开关电源如上图,为了从高电压Vs得到Vo,开关电源采用了用一定占空比的方波Vg1,Vg2推动上下MOS管,Vg1和Vg2是反相的,Vg1为高,Vg2为低;上MOS管打开时,下MOS管关闭;下MOS管打开时,上MOS管关闭。