为何晶振并联一个1MΩ电阻?晶振低温不起振如何解决?

而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此,当发生程序启动慢或不运行时,建议给晶振并联1MΩ的电阻。这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区,以获得增益,在饱和区不存在增益,而在没有增益的条件下晶振不起振。简而言之,并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗(-R),即提升了增益,缩短了晶振起振时...

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15mΩ*mm2–比等效100V硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻,EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率,从而降低能耗和散热。它为多种应用诸如高功率PSUAC/DC同步整流、数据中心的高频DC/DC转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能MPPT的电机驱动...

常见电路板GND与外壳GND之间接一个电阻一个电容,为什么?

这是因为,如果没有这个电阻,电路板内有静电的时候,与大地连接的0.1uF的电容是隔断了与外壳大地的连接,也就是悬空的。这些电荷积累到一定程度,就会出问题,必须要与大地连接才行,所以这里的电阻用于放电。1M的电阻这么大,如果外面有静电,高压之类的,也能有效降低电流,不会对电路内的芯片造成损坏。

20款电车涉水深度相差悬殊:从15cm到1m!多家车商讳莫如深,有的竟称...

20款电车涉水深度相差悬殊:从15cm到1m!多家车商讳莫如深,有的竟称无此数据南方暴雨洪水来势汹汹,长沙1小时降水约等于54个西湖,“长沙暴雨中一问界M9当船开”的视频,也在各大视频平台、各大微信群热传。街道变大河、市区成汪洋,一些南方水淹区域新能源车主发出疑问:网传视频是否炒作?如果我的新能源车也这样...

【群友问题】差分电路里的1MΩ能不能换成100kΩ?

外部电阻的减小,很大程度上减小了输入失调电流引入的误差,例如LM321的输入失调电流的最大值为150nA,那么按最大值来计算1MΩ下输入失调电流引入的误差是150nA*1M=150mV,如下图仿真,在没有输入失调电流的情况下输出电压应该为1V,而输入失调电流的存在,会导致输出产生偏差,输出为0.85V。

源达研究报告:激光宏加工顺应工业自动化趋势,控制系统是产业链最...

相较传统加工方式,激光切割和焊接等宏加工方式具有柔性化加工、加工质量好和效率高等优点,推动渗透率持续提升(www.e993.com)2024年11月11日。工业自动化改造趋势下,激光设备可接入MES等生产管理系统,成为工厂自动化解决方案的输出触点。从行业周期看,宏加工属于通用制造业,2024年行业有望保持稳健增长。

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

导体的电阻通常用字母R表示,电阻的单位是欧姆(ohm),简称欧,符号是Ω(希腊字母,读作Omega),1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)(兆=百万,即100万)。1TΩ=1000GΩ;1GΩ=1000MΩ;1MΩ=1000KΩ;1KΩ=1000Ω(也就是一千进率)

基础知识之电阻器

3.那么,图1-(c)的电阻值多大?在此,回想一下欧姆定律。如图2,电压V为1V,电流I为1A时,根据(1)式可求得电阻R…换句话说,1Ω指的是施加1V电压并流过1A电流时的电阻值,或者流过1A电流并产生1V时的电阻值。图2那么电压1V,电流0.2A时,电阻值如下…...

士兰微:车规SiC率先批量供应,IGBT/GaN上车在即

技术进展方面,士兰目前二代SiCMOSFET芯片已经成功量产上车,我们也在同步开发下一代SiC芯片产品,下一代产品的在芯片面积25mm??时,导通电阻(RdsON)会进一步下降到11mΩ,芯片30mm??导通电阻可下降到9.8mΩ,因此在相同的封装下,我们可以做到更大的功率水平,提升客户的应用功率密度。

史无前例的精准测量!先进的低温探针台让数据不再漂移

系统采用M81的BCS-10低噪声平衡电流源、VM-10纳伏测量模块(如图9所示)以及M81内部自带的锁相测量模块,可以进行超高精度的低电平电学测量。这样,系统不仅可以轻松地测量超导材料从~1MΩ电阻连续变化至1mΩ级的电阻率(如图10所示),而且由于不需要进行量程切换,因此不会出现数据漂移问题。