英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
在电流较小时,SiCmosfet具有更小的导通损耗,当电流较大(超过曲线交点)时,IGBT的导通损耗则更小。2、从开关特性看,IGBT属于双极性器件,在关断时由于少子的复合肯定会造成拖尾电流,使其开关损耗特性较差。而SiCMOSFET具有更快的开关速度,且没有拖尾电流,所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。综上,SiCMOSFET...
中恒电气取得一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利...
金融界2024年7月9日消息,天眼查知识产权信息显示,杭州中恒电气股份有限公司取得一项名为“一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法“,授权公告号CN115166366B,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效...
IGBT/MOSFET-栅极驱动光电耦合器ICPL-343
其中,由工采网代理的ICPL-343是一款出色的智能栅极驱动光耦合器,具有5.0A的输出电流,非常适合驱动功率IGBT和MOSFET,广泛应用于电机控制逆变器和电源系统中的逆变器;该产品内置过流保护和软关断功能,特别适用于工业逆变器和光伏功率调节系统。ICPL-343具有诸多优势如:轨到轨输出、5.0A的峰值输出电流能够直接驱动高达...
格力电器取得IGBT驱动电路专利,以保证对不同的IGBT的驱动
该电路包括:光耦单元;推挽单元,与光耦单元电连接;电阻可调单元,分别与光耦单元和推挽单元电连接,通过调节电阻可调单元的阻值,实时调节推挽单元的输出电流的大小,推挽单元的输出电流为IGBT的栅极驱动电流。通过调节电阻可调单元的阻值,以实现对推挽单元的输出电流的大小进行调节,以保证对不同的IGBT的驱动。解决了现有技术中...
PCIM Asia看点抢先知,PI发布最新驱动与电源解决方案
1700VIGBT模块双通道门极驱动器在本次展会上,PI还将展出全新系列的即插即用型双通道门极驱动器2SP0230T2x0,适配62mm碳化硅(SiC)MOSFET和硅IGBT模块,专为1200V和1700V额定耐压应用而设计。这款新驱动器具备快速短路保护功能,在不到2微秒的时间内即可部署保护,确保SiCMOSFET免受过电流损坏,同时集成了高级有...
一文搞懂IGBT
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小(www.e993.com)2024年10月18日。(因为MOS管有Rds,如果Ids比较大,就会导致Vds很大)IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统...
IGBT驱动电路介绍
第5阶段:这个时候栅极电流继续对Cge充电,Vge电压开始上升,整个IGBT完全打开。我的一个同事在做这个将整个过程等效为一阶过程。如果以这个电路作为驱动电路的话:驱动的等效电路可以表示为:利用RC的充放电曲线可得出时间和电阻的功率。这么算的话,就等于用指数曲线,代替了整个上升过程,结果与等效的过程还是有些...
电动压缩机设计-SiC模块篇
短路发生时电流很容易达到额定电流额定值的10倍以上,与IGBT运行相比要高得多。因此,SiCMOSEFT的短路耐受时间相对较短,某些产品低于2us。快速检测和快速关断对于SiCMOSEFT的可靠运行和长寿命至关重要。带有去饱和功能(desat)的驱动芯片可以应对这种情况。通过设置desat保护的响应时间低于1us,可以有效的应对电动压缩...
电源设计必学电路之驱动篇
在这类电路中对IGBT驱动电路的要求相对简单。东芝公司生产的TLP250在这种场景中应用较多,其驱动电路如图所示。TLP250内置光耦合器,其隔离电压可达2500V,上升和下降时间均小于0.5us,输出电流达0.5A,可直接驱动50A/1200V以内的IGBT。驱动器体积小,价格便宜,是不带过电流保护的IGBT驱动芯片中的理想选择。
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南
如果功率转换电路和/或栅极驱动集成电路受到破坏,这种失效模式应被考虑成一个可能的根本原因。下面的理论极限可用来帮助解释VS电压严重不足和由此产生闭锁效应之间的关系。在第一种情况中,使用了一个理想自举电路,该电路的VDD由一个零欧姆电源驱动,通过一个理想二极管连接到VB,如图9所示。当大电流流过续流...