【中标】北京大学298万元采购原子层沉积系统;400亿元12英寸晶圆...
王亮教授研究团队通过调整MOCVD的温度、V/III比、掺杂浓度等生长参数实现低缺陷密度和高掺杂精度的外延结构生长。在SPAD器件结构的基础上提出并设计了新型的宽谱(全光通信波段)全反射镜,即金属—分布式布拉格反射镜用以提升SPAD芯片的光电吸收效率。研究团队所制备的12μm窗口的低暗计数SPAD,在温度233K及10%的探测效率...
半导体硅片行业专题报告:半导体硅片景气度向好,国产厂商前景可期
因此外延片是抛光片经过外延生长形成的,外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷,具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量,能够改善沟道漏电现象,提高IC可靠性,被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层,还可以提高器件的击穿电压,用于制作二极管、IGBT等功率器件,...
亏损超10亿,半导体硅片大厂IPO中止
覆盖单晶硅棒及硅片加工中各环节,包括晶体生长、晶锭切割、切片、倒角、研磨、化学腐蚀、热处理、端面处理、边缘、清洗以及检测等,核心技术达到国内先进水平;(2)公司的半导体硅片产品具有高平整度、高均匀性、低缺陷密度等特点,平坦度、翘曲度、厚度、表面颗粒、表面金属含量、电阻率梯度等技术指标...
2023-2035年半导体硅片行业调研及发展趋势分析
随着制程的推进,对芯片缺陷密度、缺陷尺寸的容忍度不断降低,硅片的质量会直接影响制作完成芯片的质量和良品率,未来质量要求将会更趋严格。客户黏性高,为了保证芯片的质量,硅片厂商需要经过晶圆制造商严格而且长时间的质量认证周期,一旦通过验证,双方就会形成长期、稳定的合作关系。硅片向大尺寸迭代,目前全球的先...
不走寻常路的隆基,靠什么“逆风翻盘”?
在机械性能方面,通过改变晶格内部缺陷密度水平,隆基泰睿硅片机械强度较常规产品提升16%,抗断裂能力更强,更有助于薄片化,降低碎片率。值得一提的是,泰睿产品可与当前单晶炉及切片设备兼容,无需对设备进行改造,为行业大幅节约了切换成本。王一淳介绍,在与客户共同测试的结果下,泰睿硅片可降低度电成本7%左右。
沪硅产业2023年年度董事会经营评述
随着半导体制程的不断缩小,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低(www.e993.com)2024年11月28日。对应在半导体硅片的制造过程中,需要更加严格地控制硅片表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、表面颗粒尺寸和数量等技术指标,这些参数将直接影响半导体产品的成品率和性能。
国产12英寸大硅片产能正爆发!
随着制程的不断缩小,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低。在先进制程工艺下,大硅片的表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、表面颗粒尺寸和数量等技术指标要求也更加高,这些参数将直接影响硅片的成品率和性能。早在2012至2013年科技部的02专项中,就有大硅片方面项目的经费准备,但...
中金| 半导体材料系列:复盘硅片产业变迁,展望国产化发展机遇
单晶生长技术:拉晶工艺是硅片制作核心工艺之一,主要流程为将电子级高纯度多晶硅拉制成单晶硅锭,单晶生长技术的重点在于保证拉制出的硅锭保持高纯度水平的同时,有效控制晶体缺陷的密度,单晶的生长过程决定了硅材料的直径、晶向、掺杂导电类型、电阻率范围及分布、氧碳浓度、少子寿命、晶格缺陷等技术参数。单晶的生长方法主...
半导体硅片行业研究:供需缺口持续,国产替代前景可期
硅片大尺寸化是大势所趋,12寸占比有望持续提高。硅片尺寸越大,在单片硅片上制造的芯片数量就越多,同时硅片圆形边缘的相对损失越小,有利于降低单位芯片的成本。并且芯片制造时遇到硅片缺陷的概率变低,可提高芯片良率。从2008年起,12寸硅片市场份额超过8英寸硅片成为主流。2020年12英寸硅片出货面积...
千亿半导体巨头蓄势待发,沪硅产业引领硅片国产化进入快车道|面对面
前述半导体分析师也指出,“硅片从8英寸推进为12英寸,工艺升级使得制造难度倍数提升。半导体芯片最新节点已达5nm,随着制程升级,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低,质量控制更严格。技术节点越先进的硅片,相对的价值也就越高”。产品线方面,沪硅产业通过三家控股子公司,互惠互补组成了丰富的半导体...