什么光可以替代紫外线:紫外线灯、照射的光线选择与比较
这种非接触式的更好检测技术不会对翡翠造成损害,并且可以快速高效地获取大量的没有信息,对于翡翠鉴定工作具有重要的选择实用性和便利性。所以,红外线在珠宝行业中常用于鉴定翡翠的太阳内部结构、矿物成分和热处理状态等方面。通过红外线的荧光特殊光谱吸收特征和红外光谱成像技术,可以对翡翠进行准确、快速的我们鉴定,确保...
“紫外线眼睛”UVEX将在NASA的新任务中探索宇宙
说到望远镜,紫外线是光谱中被忽视的部分--大多数望远镜倾向于关注可见光和红外线波长,而这两种波长可以说有更多的看点。毕竟,大多数恒星的紫外线都不是很明显,但这并不意味着那里什么都没有。最热的天体都会放射出紫外线,包括接近生命开始和结束的恒星,以及超新星和中子星碰撞等高能事件。因此,UVEX有三大目标:...
新研究!中国科学家研制“超级二极管”,将带来革命性变革
空穴的离去,就像舞台上的“舞者”变少了,会使整个p区的空穴浓度下降。而空穴,作为p区的多数载流子,其浓度的改变会显著影响PN结的电学性质。空穴浓度降低,意味着p区的导电性变差,PN结的电阻增大,电子和空穴“相遇”的概率降低,发光强度就会减弱。反之,如果在第三电极上施加正电压,就会将更多空穴推...
EUV光刻机,是英特尔研发出来的,为何只有ASML能造?
科学家们想了很多办法,最后大家达成了共识,应该使用波长为13.5纳米的极紫外光。但是觉得要使用13.5nm波长的极紫外线,到能使用这种紫外线来制造光刻机,中间还有很长的路要走,怎么来实现?于是在1996年,当时全球最牛的芯片制造厂商英特尔,出面了,它联合了美国的几家芯片厂和几个国家实验室成立了一个联盟,全力开发...
突破光刻机“卡脖子”到底难在哪里?
光刻分辨率是光刻曝光系统最重要的技术指标之一,为了实现更精确的光刻,就必须要提高分辨率,那就只有两种方法,分别是减少光源波长或提高数值孔径。换句话说,短波长光源、大数值孔径透镜是提高光刻机曝光分辨力的最有效方法!光刻机曝光刻蚀原理示意图DUV(深紫外线)和EUV(极深紫外线)最大的区别在光源方案。EUV的光源...
ASML年内仍可出口高端浸润式光刻系统 光刻机概念股震荡
光刻机是芯片工艺中最关键也是难度系数最大的环节之一,光刻机的精密程度可决定芯片制程与性能(www.e993.com)2024年7月8日。2003年,ASML推出第一台浸没式光刻机,通过缩短紫外光波长提高光刻精度,使工艺节点从45nm持续往前到7nm。在5nm及以下工艺,EUV(极紫外线)光刻机随后接替了浸润式光刻机,ASML是EUV光刻机唯一供应商。至今,ASML基本...
没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?
此外,也涉及到许许多多的制程手段,比如相移光罩、模型光学临近效应修正、过蚀刻、反演光刻等,甚至基于最新的定向自组装光刻技术,在不依赖更高分辨率光刻的情况下,也有生产5nm芯片的可能性。当然,这么做需要付出高昂的成本,一般晶圆厂不会采用这种极端的手段来量产先进工艺芯片,毕竟主流的方案都是经过市场优胜劣汰,...
High-NA EUV光刻机入场,究竟有多强?
除了光刻分辨率之外,焦距深度(DepthofFocus,DOF)也至关重要,大的焦深可以增大刻蚀的清晰范围,提高光刻的质量,而焦距深度也可以通过提高系统的折射率(n)来改进。然而,现在的DUV系统中已经没有多少空间可以调整这些参数了。进入EUV世代,EUV光刻则能够对波长参数进行重大调整:它使用13.5nm光,而最高...
南京波长光电科技股份有限公司2023年年度报告摘要
(2)研发创新方面,公司将继续以光学为核心,深耕精密光学赛道,在光学设计、光学加工、光学薄膜等方面进行技术研发,逐步在短波长、高能量、大口径的精密加工方向形成独特的技术优势,促进现有产品向高精密、高稳定性、高附加值转化,并逐步向上游新型光学材料及下游半导体等新兴应用领域不断开拓和延伸。公司也会加强与国内高...
清华大学光刻机新方案,真的造出来了?
这样就可以刻出更小的晶体管。当然了,这样做也不是没有副作用的,那就是出错的可能性也更大了,大规模生产的话,成品合格率较低。先说光源。目前产生13.5纳米波长的极深紫外光的方法是使用高功率激光轰击直径仅为三千万分之一米的小锡球。然而,这句话无法完全描述其困难之处,因此我需要详细说明。首先,必须...