电动汽车800V电驱动系统核心技术综述

对电压进行调制使得电机绕组内通过的电流近似正弦电流??PWM调制驱动一般采用绝缘栅极双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IG??BT)或金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Ox??ide-SemiconductorField-Effect

三相集成GaN技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能

虽然这些逆变器目前是使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为电源开关来实现的,但由于总体损耗较高,开关频率和电力输送受到限制。不过,随着宽带隙技术的进步,在电机驱动器中使用基于氮化镓(GaN)的电源开关有助于提高功率密度、电力输送能力和效率。1GaN如何提高逆变器效率GaNFET...

双极性结型晶体管的开关损耗

我们可以通过假设这些固定值,然后通过标准电路分析技术确定基极和集电极电流,来获得导通损耗的粗略估计。用LTspice估算传导损耗SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电...

行业市场前景分析|智研产业百科「670」——绝缘栅双极晶体管

绝缘栅双极晶体管（简称IGBT）是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。绝缘栅双极晶体管按照产品集...

基础知识之晶体管

晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也可以看出,主要是根据集电极引脚侧在电路中是吸入还是输出电流来区分使用晶体管。如果想根据输入信号进行开关,那么使用NPN型晶体管,发射极接地。如果想在电源侧进行控制,则通常使用PNP型晶体管。

整理分类:晶体管的类型分析

通过内部电放大机制,产生光电流增益(www.e993.com)2024年11月4日。光电晶体管在三个端子上工作。易于实现电控或电同步。光电晶体管使用的材料通常是砷化镓。主要分为双极型光电晶体管、场效应光电晶体管及相关器件。双极型光电晶体管通常增益较高,但速度不太快。场效应光电晶体管响应速度快。其缺点是感光面积小,增益小。它通常用作极高速光学探测...

为什么D类放大器需要反并联二极管

每个开关在其ON周期的一部分中都会传导负电流。图1中的电路图显示,我们的开关Q1和Q2是双极结型晶体管。由于双极结型晶体管不能传导反向电流,我们通常使用反并联二极管为负电流提供通路。这在图7中进行了说明。一种互补电压开关D类放大器,增加了反向并联二极管以传导负电流。

B类功率放大器介绍

图1.晶体管作为B类功率放大器的操作。图片由SteveArar提供对于双极型晶体管,我们需要将基极-发射极结偏置在大约0.7V。对于FET器件,栅极-源极偏置在夹断状态。这些偏置点允许输入的正半周期驱动晶体管导通。传导角度我们将使用传导角的概念来帮助我们描述功率放大器晶体管的工作。传导角是晶体管导通的一个输...

如何监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关

图4.使用NPN双极结型晶体管(Q1)从低电平有效输出驱动P沟道MOSFET(Q2)图5.正常运行时的电流——系统处于活动状态图6.系统不活动期间的电流流动——发生电源循环如图5所示,NPN双极结型晶体管的集电极引脚连接到高端MOSFET两端的电阻分压器。由于NPN双极结型晶体管处于关断状态,电阻分压器结点和栅极上的电压将大致...

半导体芯片,到底是如何工作的?

栅极上很小的电流变化,能引起阳极很大的电流变化。而且,变化波形与栅极电流完全一致。所以,三极管有信号放大的作用。一开始的三极管是单栅,后来变成了两块板子夹在一起的双栅,再后来,干脆变成了整个包起来的围栅。围栅真空三极管的诞生,是电子工业领域的里程碑事件。